MOSFET के कार्य क्या हैं?

MOSFET के दो प्रमुख प्रकार हैं: स्प्लिट जंक्शन प्रकार और इंसुलेटेड गेट प्रकार। जंक्शन MOSFET (JFET) का नाम इसलिए रखा गया है क्योंकि इसमें दो PN जंक्शन और इंसुलेटेड गेट हैंMOSFET(JGFET) का नाम इसलिए रखा गया है क्योंकि गेट अन्य इलेक्ट्रोडों से पूरी तरह से अछूता है। वर्तमान में, इंसुलेटेड गेट MOSFETs में, सबसे अधिक इस्तेमाल किया जाने वाला MOSFET है, जिसे MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर MOSFET) कहा जाता है; इसके अलावा, PMOS, NMOS और VMOS पावर MOSFETs, साथ ही हाल ही में लॉन्च किए गए πMOS और VMOS पावर मॉड्यूल आदि भी हैं।

 

विभिन्न चैनल अर्धचालक सामग्रियों के अनुसार, जंक्शन प्रकार और इंसुलेटिंग गेट प्रकार को चैनल और पी चैनल में विभाजित किया गया है। यदि चालकता मोड के अनुसार विभाजित किया जाए, तो MOSFET को कमी प्रकार और वृद्धि प्रकार में विभाजित किया जा सकता है। जंक्शन MOSFETs सभी कमी प्रकार के होते हैं, और इंसुलेटेड गेट MOSFETs कमी प्रकार और वृद्धि प्रकार दोनों होते हैं।

फ़ील्ड प्रभाव ट्रांजिस्टर को जंक्शन फ़ील्ड प्रभाव ट्रांजिस्टर और MOSFETs में विभाजित किया जा सकता है। MOSFETs को चार श्रेणियों में विभाजित किया गया है: एन-चैनल कमी प्रकार और वृद्धि प्रकार; पी-चैनल कमी प्रकार और वृद्धि प्रकार।

 

MOSFET के लक्षण

MOSFET की विशेषता दक्षिण गेट वोल्टेज UG है; जो इसकी ड्रेन करंट आईडी को नियंत्रित करता है। साधारण द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर की तुलना में, MOSFETs में उच्च इनपुट प्रतिबाधा, कम शोर, बड़ी गतिशील रेंज, कम बिजली की खपत और आसान एकीकरण की विशेषताएं होती हैं।

 

जब नकारात्मक पूर्वाग्रह वोल्टेज (-यूजी) का पूर्ण मूल्य बढ़ता है, तो कमी परत बढ़ जाती है, चैनल कम हो जाता है, और नाली वर्तमान आईडी कम हो जाती है। जब नकारात्मक पूर्वाग्रह वोल्टेज (-यूजी) का निरपेक्ष मान घटता है, तो कमी परत कम हो जाती है, चैनल बढ़ जाता है, और ड्रेन करंट आईडी बढ़ जाती है। यह देखा जा सकता है कि ड्रेन करंट आईडी को गेट वोल्टेज द्वारा नियंत्रित किया जाता है, इसलिए MOSFET एक वोल्टेज-नियंत्रित उपकरण है, अर्थात, आउटपुट करंट में परिवर्तन को इनपुट वोल्टेज में परिवर्तन द्वारा नियंत्रित किया जाता है, ताकि प्रवर्धन प्राप्त किया जा सके और अन्य प्रयोजन.

 

द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर की तरह, जब MOSFET का उपयोग प्रवर्धन जैसे सर्किट में किया जाता है, तो इसके गेट पर एक बायस वोल्टेज भी जोड़ा जाना चाहिए।

जंक्शन क्षेत्र प्रभाव ट्यूब के गेट को रिवर्स बायस वोल्टेज के साथ लागू किया जाना चाहिए, अर्थात, एन-चैनल ट्यूब पर एक नकारात्मक गेट वोल्टेज लागू किया जाना चाहिए और पी-चैनल ट्यूब पर एक सकारात्मक गेट क्लॉ लगाया जाना चाहिए। प्रबलित इंसुलेटेड गेट MOSFET को फॉरवर्ड गेट वोल्टेज लागू करना चाहिए। कमी-मोड इंसुलेटिंग MOSFET का गेट वोल्टेज सकारात्मक, नकारात्मक या "0" हो सकता है। पूर्वाग्रह जोड़ने की विधियों में निश्चित पूर्वाग्रह विधि, स्व-प्रदत्त पूर्वाग्रह विधि, प्रत्यक्ष युग्मन विधि आदि शामिल हैं।

MOSFETडीसी पैरामीटर, एसी पैरामीटर और सीमा पैरामीटर सहित कई पैरामीटर हैं, लेकिन सामान्य उपयोग में, आपको केवल निम्नलिखित मुख्य पैरामीटर पर ध्यान देने की आवश्यकता है: संतृप्त नाली-स्रोत वर्तमान आईडीएसएस पिंच-ऑफ वोल्टेज ऊपर, (जंक्शन ट्यूब और कमी मोड इन्सुलेट) गेट ट्यूब, या टर्न-ऑन वोल्टेज यूटी (प्रबलित इंसुलेटेड गेट ट्यूब), ट्रांसकंडक्टेंस जीएम, ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज बीयूडीएस, अधिकतम बिजली अपव्यय पीडीएसएम और अधिकतम ड्रेन-सोर्स वर्तमान आईडीएसएम।

(1) संतृप्त नाली-स्रोत धारा

संतृप्त ड्रेन-सोर्स करंट आईडीएसएस ड्रेन-सोर्स करंट को संदर्भित करता है जब जंक्शन या डिप्लेशन इंसुलेटेड गेट MOSFET में गेट वोल्टेज UGS=0 होता है।

(2) पिंच-ऑफ वोल्टेज

पिंच-ऑफ वोल्टेज यूपी गेट वोल्टेज को संदर्भित करता है जब ड्रेन-सोर्स कनेक्शन जंक्शन या डेक्लेशन-टाइप इंसुलेटेड गेट एमओएसएफईटी में कट जाता है। जैसा कि एन-चैनल ट्यूब के यूजीएस-आईडी वक्र के लिए 4-25 में दिखाया गया है, आईडीएसएस और यूपी का अर्थ स्पष्ट रूप से देखा जा सकता है।

(3) टर्न-ऑन वोल्टेज

टर्न-ऑन वोल्टेज यूटी गेट वोल्टेज को संदर्भित करता है जब ड्रेन-सोर्स कनेक्शन केवल प्रबलित इंसुलेटेड गेट एमओएसएफईटी में बनाया जाता है। चित्र 4-27 एन-चैनल ट्यूब का यूजीएस-आईडी वक्र दिखाता है, और यूटी का अर्थ स्पष्ट रूप से देखा जा सकता है।

(4) ट्रांसकंडक्टेंस

ट्रांसकंडक्टेंस जीएम ड्रेन करंट आईडी को नियंत्रित करने के लिए गेट-सोर्स वोल्टेज यूजीएस की क्षमता का प्रतिनिधित्व करता है, यानी, गेट-सोर्स वोल्टेज यूजीएस में परिवर्तन के लिए ड्रेन करंट आईडी में परिवर्तन का अनुपात। की प्रवर्धन क्षमता को मापने के लिए 9 मी एक महत्वपूर्ण पैरामीटर हैMOSFET.

(5)ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज

ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज BUDS अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज को संदर्भित करता है जिसे MOSFET गेट-सोर्स वोल्टेज UGS स्थिर होने पर स्वीकार कर सकता है। यह एक सीमित पैरामीटर है, और MOSFET पर लागू ऑपरेटिंग वोल्टेज BUDS से कम होना चाहिए।

(6) अधिकतम बिजली अपव्यय

अधिकतम बिजली अपव्यय पीडीएसएम भी एक सीमा पैरामीटर है, जो एमओएसएफईटी प्रदर्शन में गिरावट के बिना अनुमत अधिकतम नाली-स्रोत बिजली अपव्यय को संदर्भित करता है। उपयोग किए जाने पर, MOSFET की वास्तविक बिजली खपत PDSM से कम होनी चाहिए और एक निश्चित मार्जिन छोड़ना चाहिए।

(7) अधिकतम नाली-स्रोत धारा

अधिकतम ड्रेन-सोर्स करंट आईडीएसएम एक अन्य सीमा पैरामीटर है, जो एमओएसएफईटी सामान्य रूप से काम करने पर ड्रेन और स्रोत के बीच पारित होने वाली अधिकतम धारा को संदर्भित करता है। MOSFET का ऑपरेटिंग करंट IDSM से अधिक नहीं होना चाहिए।

1. MOSFET का उपयोग प्रवर्धन के लिए किया जा सकता है। चूँकि MOSFET एम्पलीफायर का इनपुट प्रतिबाधा बहुत अधिक है, युग्मन संधारित्र छोटा हो सकता है और इलेक्ट्रोलाइटिक संधारित्र का उपयोग करने की आवश्यकता नहीं है।

2. MOSFET की उच्च इनपुट प्रतिबाधा प्रतिबाधा परिवर्तन के लिए बहुत उपयुक्त है। इसका उपयोग अक्सर मल्टी-स्टेज एम्पलीफायरों के इनपुट चरण में प्रतिबाधा परिवर्तन के लिए किया जाता है।

3. MOSFET का उपयोग एक परिवर्तनीय अवरोधक के रूप में किया जा सकता है।

4. MOSFET को निरंतर चालू स्रोत के रूप में आसानी से उपयोग किया जा सकता है।

5. MOSFET का उपयोग इलेक्ट्रॉनिक स्विच के रूप में किया जा सकता है।

 

MOSFET में कम आंतरिक प्रतिरोध, उच्च प्रतिरोध वोल्टेज, तेज़ स्विचिंग और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा की विशेषताएं हैं। डिज़ाइन किया गया वर्तमान स्पैन 1A-200A है और वोल्टेज स्पैन 30V-1200V है। हम ग्राहक उत्पाद विश्वसनीयता, समग्र रूपांतरण दक्षता और उत्पाद मूल्य प्रतिस्पर्धात्मकता में सुधार के लिए ग्राहक के एप्लिकेशन फ़ील्ड और एप्लिकेशन योजनाओं के अनुसार विद्युत मापदंडों को समायोजित कर सकते हैं।

 

MOSFET बनाम ट्रांजिस्टर तुलना

(1) MOSFET एक वोल्टेज नियंत्रण तत्व है, जबकि एक ट्रांजिस्टर एक वर्तमान नियंत्रण तत्व है। जब सिग्नल स्रोत से केवल थोड़ी मात्रा में करंट लेने की अनुमति होती है, तो MOSFET का उपयोग किया जाना चाहिए; जब सिग्नल वोल्टेज कम हो और सिग्नल स्रोत से बड़ी मात्रा में करंट लेने की अनुमति हो, तो एक ट्रांजिस्टर का उपयोग किया जाना चाहिए।

(2) MOSFET बिजली का संचालन करने के लिए बहुसंख्यक वाहक का उपयोग करता है, इसलिए इसे एकध्रुवीय उपकरण कहा जाता है, जबकि ट्रांजिस्टर में बिजली का संचालन करने के लिए बहुसंख्यक वाहक और अल्पसंख्यक वाहक दोनों होते हैं। इसे द्विध्रुवी उपकरण कहा जाता है।

(3) कुछ MOSFETs के स्रोत और ड्रेन का उपयोग परस्पर विनिमय किया जा सकता है, और गेट वोल्टेज सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है, जो ट्रांजिस्टर की तुलना में अधिक लचीला है।

(4) MOSFET बहुत कम करंट और बहुत कम वोल्टेज की स्थिति में काम कर सकता है, और इसकी निर्माण प्रक्रिया एक सिलिकॉन वेफर पर कई MOSFET को आसानी से एकीकृत कर सकती है। इसलिए, बड़े पैमाने पर एकीकृत सर्किट में MOSFETs का व्यापक रूप से उपयोग किया गया है।

 

MOSFET की गुणवत्ता और ध्रुवता का निर्धारण कैसे करें

मल्टीमीटर की रेंज RX1K तक चुनें, ब्लैक टेस्ट लीड को D पोल से और लाल टेस्ट लीड को S पोल से कनेक्ट करें। अपने हाथ से एक ही समय में जी और डी ध्रुवों को स्पर्श करें। MOSFET को तात्कालिक चालन अवस्था में होना चाहिए, यानी मीटर सुई कम प्रतिरोध वाली स्थिति में घूमती है। , और फिर अपने हाथों से जी और एस ध्रुवों को स्पर्श करें, एमओएसएफईटी पर कोई प्रतिक्रिया नहीं होनी चाहिए, यानी मीटर सुई शून्य स्थिति में वापस नहीं जाएगी। इस समय, यह निर्णय लिया जाना चाहिए कि MOSFET एक अच्छी ट्यूब है।

मल्टीमीटर की रेंज RX1K तक चुनें, और MOSFET के तीन पिनों के बीच प्रतिरोध को मापें। यदि एक पिन और अन्य दो पिनों के बीच प्रतिरोध अनंत है, और परीक्षण लीड के आदान-प्रदान के बाद भी यह अनंत है, तो यह पिन जी पोल है, और अन्य दो पिन एस पोल और डी पोल हैं। फिर एस पोल और डी पोल के बीच प्रतिरोध मान को एक बार मापने के लिए मल्टीमीटर का उपयोग करें, परीक्षण लीड का आदान-प्रदान करें और फिर से मापें। कम प्रतिरोध मान वाला काला है। टेस्ट लीड एस पोल से जुड़ा है, और लाल टेस्ट लीड डी पोल से जुड़ा है।

 

MOSFET का पता लगाना और उपयोग संबंधी सावधानियां

1. MOSFET की पहचान करने के लिए पॉइंटर मल्टीमीटर का उपयोग करें

1) जंक्शन MOSFET के इलेक्ट्रोड की पहचान करने के लिए प्रतिरोध माप विधि का उपयोग करें

इस घटना के अनुसार कि MOSFET के PN जंक्शन के आगे और पीछे के प्रतिरोध मान भिन्न हैं, जंक्शन MOSFET के तीन इलेक्ट्रोडों की पहचान की जा सकती है। विशिष्ट विधि: मल्टीमीटर को R×1k रेंज पर सेट करें, किन्हीं दो इलेक्ट्रोडों का चयन करें, और क्रमशः उनके आगे और पीछे के प्रतिरोध मूल्यों को मापें। जब दो इलेक्ट्रोडों के आगे और पीछे के प्रतिरोध मान बराबर होते हैं और कई हजार ओम होते हैं, तो दो इलेक्ट्रोड क्रमशः ड्रेन डी और स्रोत एस होते हैं। क्योंकि जंक्शन एमओएसएफईटी के लिए, नाली और स्रोत विनिमेय हैं, शेष इलेक्ट्रोड गेट जी होना चाहिए। आप मल्टीमीटर के ब्लैक टेस्ट लीड (लाल टेस्ट लीड भी स्वीकार्य है) को किसी भी इलेक्ट्रोड से छू सकते हैं, और अन्य टेस्ट लीड को भी छू सकते हैं प्रतिरोध मान मापने के लिए शेष दो इलेक्ट्रोडों को क्रम से स्पर्श करें। जब दो बार मापा गया प्रतिरोध मान लगभग बराबर होता है, तो ब्लैक टेस्ट लीड के संपर्क में आने वाला इलेक्ट्रोड गेट होता है, और अन्य दो इलेक्ट्रोड क्रमशः ड्रेन और स्रोत होते हैं। यदि दो बार मापा गया प्रतिरोध मान दोनों बहुत बड़े हैं, तो इसका मतलब है कि यह पीएन जंक्शन की विपरीत दिशा है, अर्थात, वे दोनों विपरीत प्रतिरोध हैं। यह निर्धारित किया जा सकता है कि यह एक एन-चैनल एमओएसएफईटी है, और ब्लैक टेस्ट लीड गेट से जुड़ा है; यदि प्रतिरोध मान दो बार मापा जाता है तो प्रतिरोध मान बहुत छोटे हैं, यह दर्शाता है कि यह एक आगे पीएन जंक्शन है, यानी, एक आगे प्रतिरोध है, और यह एक पी-चैनल एमओएसएफईटी होने के लिए निर्धारित है। ब्लैक टेस्ट लीड भी गेट से जुड़ा हुआ है। यदि उपरोक्त स्थिति नहीं होती है, तो आप काले और लाल परीक्षण लीड को बदल सकते हैं और ग्रिड की पहचान होने तक उपरोक्त विधि के अनुसार परीक्षण कर सकते हैं।

 

2) MOSFET की गुणवत्ता निर्धारित करने के लिए प्रतिरोध माप विधि का उपयोग करें

प्रतिरोध माप विधि MOSFET के स्रोत और नाली, गेट और स्रोत, गेट और नाली, गेट G1 और गेट G2 के बीच प्रतिरोध को मापने के लिए एक मल्टीमीटर का उपयोग करना है ताकि यह निर्धारित किया जा सके कि यह MOSFET मैनुअल में इंगित प्रतिरोध मान से मेल खाता है या नहीं। प्रबंधन अच्छा है या बुरा. विशिष्ट विधि: सबसे पहले, मल्टीमीटर को R×10 या R×100 रेंज पर सेट करें, और स्रोत S और ड्रेन D के बीच प्रतिरोध को मापें, आमतौर पर दसियों ओम से लेकर कई हजार ओम की सीमा में (इसे देखा जा सकता है) मैनुअल कि विभिन्न मॉडल ट्यूब, उनके प्रतिरोध मान भिन्न होते हैं), यदि मापा प्रतिरोध मान सामान्य मान से अधिक है, तो यह खराब आंतरिक संपर्क के कारण हो सकता है; यदि मापा गया प्रतिरोध मान अनंत है, तो यह एक आंतरिक टूटा हुआ खंभा हो सकता है। फिर मल्टीमीटर को R×10k रेंज पर सेट करें, और फिर गेट G1 और G2 के बीच, गेट और स्रोत के बीच, और गेट और नाली के बीच प्रतिरोध मान मापें। जब मापा गया प्रतिरोध मान सभी अनंत हैं, तो इसका मतलब है कि ट्यूब सामान्य है; यदि उपरोक्त प्रतिरोध मान बहुत छोटे हैं या कोई पथ है, तो इसका मतलब है कि ट्यूब खराब है। यह ध्यान दिया जाना चाहिए कि यदि ट्यूब में दो गेट टूटे हुए हैं, तो पता लगाने के लिए घटक प्रतिस्थापन विधि का उपयोग किया जा सकता है।

 

3) MOSFET की प्रवर्धन क्षमता का अनुमान लगाने के लिए इंडक्शन सिग्नल इनपुट विधि का उपयोग करें

विशिष्ट विधि: मल्टीमीटर प्रतिरोध के R×100 स्तर का उपयोग करें, लाल टेस्ट लीड को स्रोत S से और ब्लैक टेस्ट लीड को ड्रेन D से कनेक्ट करें। MOSFET में 1.5V बिजली आपूर्ति वोल्टेज जोड़ें। इस समय, नाली और स्रोत के बीच प्रतिरोध मान मीटर सुई द्वारा इंगित किया जाता है। फिर अपने हाथ से जंक्शन MOSFET के गेट G को पिंच करें, और मानव शरीर के प्रेरित वोल्टेज सिग्नल को गेट में जोड़ें। इस तरह, ट्यूब के प्रवर्धन प्रभाव के कारण, ड्रेन-सोर्स वोल्टेज वीडीएस और ड्रेन करंट आईबी बदल जाएगा, यानी ड्रेन और स्रोत के बीच प्रतिरोध बदल जाएगा। इससे पता चलता है कि मीटर की सुई काफी हद तक घूमती है। यदि हाथ से पकड़ी जाने वाली ग्रिड सुई की सुई कम घूमती है, तो इसका मतलब है कि ट्यूब की प्रवर्धन क्षमता खराब है; यदि सुई बहुत अधिक घूमती है, तो इसका मतलब है कि ट्यूब की प्रवर्धन क्षमता बड़ी है; यदि सुई नहीं चलती है, तो इसका मतलब है कि ट्यूब खराब है।

 

उपरोक्त विधि के अनुसार, हम जंक्शन MOSFET 3DJ2F को मापने के लिए मल्टीमीटर के R×100 स्केल का उपयोग करते हैं। सबसे पहले ट्यूब के जी इलेक्ट्रोड को खोलें और ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध आरडीएस को 600Ω मापें। जी इलेक्ट्रोड को हाथ से पकड़ने के बाद मीटर की सुई बायीं ओर घूम जाती है। संकेतित प्रतिरोध आरडीएस 12kΩ है। यदि मीटर की सुई बड़ी घूमती है, तो इसका मतलब है कि ट्यूब अच्छी है। , और इसकी प्रवर्धन क्षमता अधिक है।

 

इस पद्धति का उपयोग करते समय ध्यान देने योग्य कुछ बातें हैं: सबसे पहले, MOSFET का परीक्षण करते समय और गेट को अपने हाथ से पकड़ते समय, मल्टीमीटर सुई दाईं ओर घूम सकती है (प्रतिरोध मान कम हो जाता है) या बाईं ओर (प्रतिरोध मान बढ़ जाता है) . यह इस तथ्य के कारण है कि मानव शरीर द्वारा प्रेरित एसी वोल्टेज अपेक्षाकृत अधिक है, और प्रतिरोध सीमा (या तो संतृप्त क्षेत्र या असंतृप्त क्षेत्र में संचालन) के साथ मापा जाने पर विभिन्न एमओएसएफईटी के अलग-अलग कार्य बिंदु हो सकते हैं। परीक्षणों से पता चला है कि अधिकांश ट्यूबों का आरडीएस बढ़ जाता है। अर्थात् घड़ी की सुई बायीं ओर घूमती है; कुछ ट्यूबों का आरडीएस कम हो जाता है, जिससे घड़ी की सुई दाईं ओर घूम जाती है।

लेकिन इस बात पर ध्यान दिए बिना कि घड़ी की सुई किस दिशा में घूमती है, जब तक घड़ी की सुई बड़ी घूमती है, इसका मतलब है कि ट्यूब में अधिक प्रवर्धन क्षमता है। दूसरा, यह विधि MOSFETs के लिए भी काम करती है। लेकिन यह ध्यान दिया जाना चाहिए कि MOSFET का इनपुट प्रतिरोध अधिक है, और गेट G का अनुमत प्रेरित वोल्टेज बहुत अधिक नहीं होना चाहिए, इसलिए गेट को सीधे अपने हाथों से न दबाएं। गेट को धातु की छड़ से छूने के लिए आपको स्क्रूड्राइवर के इंसुलेटेड हैंडल का उपयोग करना चाहिए। , मानव शरीर द्वारा प्रेरित चार्ज को सीधे गेट में शामिल होने से रोकने के लिए, जिससे गेट टूट जाता है। तीसरा, प्रत्येक माप के बाद, जीएस पोल को शॉर्ट-सर्किट किया जाना चाहिए। ऐसा इसलिए है क्योंकि जीएस जंक्शन कैपेसिटर पर थोड़ी मात्रा में चार्ज होगा, जो वीजीएस वोल्टेज बनाता है। परिणामस्वरूप, दोबारा मापते समय मीटर के हाथ नहीं हिलेंगे। चार्ज को डिस्चार्ज करने का एकमात्र तरीका जीएस इलेक्ट्रोड के बीच चार्ज को शॉर्ट-सर्किट करना है।

4) अचिह्नित MOSFETs की पहचान करने के लिए प्रतिरोध माप पद्धति का उपयोग करें

सबसे पहले, प्रतिरोध मान वाले दो पिन, अर्थात् स्रोत एस और ड्रेन डी, खोजने के लिए प्रतिरोध मापने की विधि का उपयोग करें। शेष दो पिन पहला गेट जी1 और दूसरा गेट जी2 हैं। पहले दो परीक्षण लीडों से मापा गया स्रोत एस और ड्रेन डी के बीच प्रतिरोध मान लिखें। परीक्षण लीड बदलें और फिर से मापें। मापा गया प्रतिरोध मान लिखिए। दो बार मापा गया बड़ा प्रतिरोध मान वाला ब्लैक टेस्ट लीड है। कनेक्टेड इलेक्ट्रोड ड्रेन डी है; लाल परीक्षण लीड स्रोत एस से जुड़ा है। इस विधि द्वारा पहचाने गए एस और डी ध्रुवों को ट्यूब की प्रवर्धन क्षमता का अनुमान लगाकर भी सत्यापित किया जा सकता है। अर्थात्, बड़ी प्रवर्धन क्षमता वाली ब्लैक टेस्ट लीड डी पोल से जुड़ी होती है; लाल परीक्षण लीड जमीन से 8-पोल से जुड़ा हुआ है। दोनों विधियों के परीक्षण परिणाम समान होने चाहिए। ड्रेन डी और स्रोत एस की स्थिति निर्धारित करने के बाद, सर्किट को डी और एस की संबंधित स्थिति के अनुसार स्थापित करें। आम तौर पर, जी1 और जी2 को भी क्रम में संरेखित किया जाएगा। यह दो गेटों G1 और G2 की स्थिति निर्धारित करता है। यह D, S, G1 और G2 पिन का क्रम निर्धारित करता है।

5) ट्रांसकंडक्टेंस का आकार निर्धारित करने के लिए रिवर्स प्रतिरोध मान में परिवर्तन का उपयोग करें

वीएमओएसएन चैनल एन्हांसमेंट एमओएसएफईटी के ट्रांसकंडक्टेंस प्रदर्शन को मापते समय, आप स्रोत एस और ब्लैक टेस्ट लीड को ड्रेन डी से जोड़ने के लिए लाल टेस्ट लीड का उपयोग कर सकते हैं। यह स्रोत और ड्रेन के बीच एक रिवर्स वोल्टेज जोड़ने के बराबर है। इस समय, गेट खुला सर्किट है, और ट्यूब का रिवर्स प्रतिरोध मान बहुत अस्थिर है। R×10kΩ की उच्च प्रतिरोध सीमा के लिए मल्टीमीटर की ओम श्रेणी का चयन करें। इस समय मीटर में वोल्टेज अधिक होता है। जब आप ग्रिड जी को अपने हाथ से छूते हैं, तो आप पाएंगे कि ट्यूब का रिवर्स प्रतिरोध मान महत्वपूर्ण रूप से बदल जाता है। परिवर्तन जितना अधिक होगा, ट्यूब का ट्रांसकंडक्टेंस मान उतना अधिक होगा; यदि परीक्षण के तहत ट्यूब का ट्रांसकंडक्टेंस बहुत छोटा है, तो मापने के लिए इस विधि का उपयोग करें, जब रिवर्स प्रतिरोध थोड़ा बदलता है।

 

MOSFET का उपयोग करने के लिए सावधानियां

1) एमओएसएफईटी का सुरक्षित रूप से उपयोग करने के लिए, सर्किट डिजाइन में ट्यूब की विलुप्त शक्ति, अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज, अधिकतम गेट-सोर्स वोल्टेज और अधिकतम करंट जैसे मापदंडों के सीमा मूल्यों को पार नहीं किया जा सकता है।

2) विभिन्न प्रकार के एमओएसएफईटी का उपयोग करते समय, उन्हें आवश्यक पूर्वाग्रह के अनुसार सख्ती से सर्किट से जोड़ा जाना चाहिए, और एमओएसएफईटी पूर्वाग्रह की ध्रुवता देखी जानी चाहिए। उदाहरण के लिए, जंक्शन MOSFET के गेट स्रोत और ड्रेन के बीच एक PN जंक्शन होता है, और N-चैनल ट्यूब का गेट सकारात्मक रूप से पक्षपाती नहीं हो सकता है; पी-चैनल ट्यूब का गेट नकारात्मक रूप से पक्षपाती नहीं हो सकता, आदि।

3) क्योंकि MOSFET का इनपुट प्रतिबाधा बहुत अधिक है, परिवहन और भंडारण के दौरान पिन को शॉर्ट-सर्किट किया जाना चाहिए, और गेट के टूटने से बाहरी प्रेरित क्षमता को रोकने के लिए धातु ढाल के साथ पैक किया जाना चाहिए। विशेष रूप से, कृपया ध्यान दें कि MOSFET को प्लास्टिक बॉक्स में नहीं रखा जा सकता है। इसे धातु के डिब्बे में रखना सबसे अच्छा है। साथ ही ट्यूब को नमीरोधी रखने पर भी ध्यान दें।

4) MOSFET गेट इंडक्टिव ब्रेकडाउन को रोकने के लिए, सभी परीक्षण उपकरण, कार्यक्षेत्र, सोल्डरिंग आयरन और सर्किट स्वयं अच्छी तरह से ग्राउंडेड होने चाहिए; पिनों को सोल्डर करते समय, पहले स्रोत को सोल्डर करें; सर्किट से कनेक्ट करने से पहले, ट्यूब के सभी लीड सिरों को एक-दूसरे से शॉर्ट-सर्किट किया जाना चाहिए, और वेल्डिंग पूरा होने के बाद शॉर्ट-सर्किटिंग सामग्री को हटा दिया जाना चाहिए; घटक रैक से ट्यूब को हटाते समय, यह सुनिश्चित करने के लिए उचित तरीकों का उपयोग किया जाना चाहिए कि मानव शरीर ग्राउंडेड है, जैसे ग्राउंडिंग रिंग का उपयोग करना; बेशक, यदि उन्नत गैस-गर्म सोल्डरिंग आयरन MOSFETs वेल्डिंग के लिए अधिक सुविधाजनक है और सुरक्षा सुनिश्चित करता है; बिजली बंद होने से पहले ट्यूब को सर्किट में डाला या बाहर नहीं निकाला जाना चाहिए। MOSFET का उपयोग करते समय उपरोक्त सुरक्षा उपायों पर ध्यान दिया जाना चाहिए।

5) MOSFET स्थापित करते समय, स्थापना स्थिति पर ध्यान दें और हीटिंग तत्व के करीब होने से बचने का प्रयास करें; पाइप फिटिंग के कंपन को रोकने के लिए, ट्यूब खोल को कसना आवश्यक है; जब पिन लीड मुड़े हुए हों, तो उन्हें जड़ के आकार से 5 मिमी बड़ा होना चाहिए ताकि यह सुनिश्चित हो सके कि पिन मुड़ने से बचें और हवा का रिसाव न हो।

पावर MOSFETs के लिए, अच्छी गर्मी अपव्यय स्थितियों की आवश्यकता होती है। क्योंकि पावर MOSFETs का उपयोग उच्च लोड स्थितियों के तहत किया जाता है, यह सुनिश्चित करने के लिए पर्याप्त हीट सिंक डिज़ाइन किए जाने चाहिए कि केस का तापमान रेटेड मूल्य से अधिक न हो ताकि डिवाइस लंबे समय तक स्थिर और विश्वसनीय रूप से काम कर सके।

संक्षेप में, MOSFETs के सुरक्षित उपयोग को सुनिश्चित करने के लिए, कई बातों पर ध्यान देना होगा और विभिन्न सुरक्षा उपाय भी करने होंगे। अधिकांश पेशेवर और तकनीकी कर्मियों, विशेष रूप से अधिकांश इलेक्ट्रॉनिक उत्साही लोगों को अपनी वास्तविक स्थिति के आधार पर आगे बढ़ना चाहिए और MOSFETs को सुरक्षित और प्रभावी ढंग से उपयोग करने के लिए व्यावहारिक तरीके अपनाने चाहिए।