लघु धारा MOSFET होल्डिंग सर्किट निर्माण अनुप्रयोग

एक MOSFET होल्डिंग सर्किट जिसमें रेसिस्टर्स R1-R6, इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर C1-C3, कैपेसिटर C4, PNP ट्रायोड VD1, डायोड D1-D2, इंटरमीडिएट रिले K1, एक वोल्टेज तुलनित्र, एक डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 और एक MOSFET Q1 शामिल है। डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के पिन नंबर 6 के साथ सिग्नल इनपुट के रूप में काम कर रहा है, और रेसिस्टर R1 का एक सिरा जुड़ा हुआ है एक ही समय में दोहरे समय बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के पिन 6 को सिग्नल इनपुट के रूप में उपयोग किया जाता है, रेसिस्टर R1 का एक सिरा डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के पिन 14 से जुड़ा होता है, रेसिस्टर R2 का एक सिरा, एक रोकनेवाला R4 का अंत, PNP ट्रांजिस्टर VD1 का उत्सर्जक, MOSFET Q1 का निकास, और DC बिजली की आपूर्ति, और रोकनेवाला R1 का दूसरा सिरा पिन 1 से जुड़ा है डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556, डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 का पिन 2, कैपेसिटर C1 का पॉजिटिव इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटेंस और इंटरमीडिएट रिले। K1 सामान्य रूप से बंद संपर्क K1-1, मध्यवर्ती रिले K1 का दूसरा छोर सामान्य रूप से बंद संपर्क K1-1, इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर C1 का नकारात्मक ध्रुव और कैपेसिटर C3 का एक छोर बिजली आपूर्ति जमीन से जुड़ा हुआ है, कैपेसिटर C3 का दूसरा छोर डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के पिन 3 से जुड़ा है, डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 का पिन 4 इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर C2 के पॉजिटिव पोल से जुड़ा है और एक ही समय में रोकनेवाला R2 का दूसरा सिरा, और इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर C2 का नकारात्मक ध्रुव बिजली आपूर्ति ग्राउंड से जुड़ा होता है, और इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर C2 का नकारात्मक ध्रुव बिजली आपूर्ति ग्राउंड से जुड़ा होता है। C2 का नकारात्मक ध्रुव बिजली आपूर्ति ग्राउंड से जुड़ा है, दोहरे समय आधार एकीकृत चिप NE556 का पिन 5 रोकनेवाला R3 के एक छोर से जुड़ा है, रोकनेवाला R3 का दूसरा छोर वोल्टेज तुलनित्र के सकारात्मक चरण इनपुट से जुड़ा है , वोल्टेज तुलनित्र का नकारात्मक चरण इनपुट डायोड डी 1 के सकारात्मक ध्रुव और प्रतिरोधी आर 4 के दूसरे छोर से एक ही समय में जुड़ा हुआ है, डायोड डी 1 का नकारात्मक ध्रुव बिजली आपूर्ति ग्राउंड से जुड़ा हुआ है, और वोल्टेज तुलनित्र का आउटपुट रोकनेवाला R5 के अंत से जुड़ा है, रोकनेवाला R5 का दूसरा सिरा PNP ट्रिपलक्स से जुड़ा है। वोल्टेज तुलनित्र का आउटपुट रोकनेवाला R5 के एक छोर से जुड़ा है, रोकनेवाला R5 का दूसरा छोर PNP ट्रांजिस्टर VD1 के आधार से जुड़ा है, PNP ट्रांजिस्टर VD1 का कलेक्टर डायोड के सकारात्मक ध्रुव से जुड़ा है D2, डायोड D2 का नकारात्मक ध्रुव प्रतिरोधक R6 के सिरे, कैपेसिटर C4 के सिरे और MOSFET के गेट से एक ही समय में जुड़ा होता है, दूसरा सिरा रोकनेवाला R6 का, कैपेसिटर C4 का दूसरा सिरा, और मध्यवर्ती रिले K1 का दूसरा सिरा सभी बिजली आपूर्ति भूमि से जुड़े हुए हैं और मध्यवर्ती रिले K1 का दूसरा सिरा स्रोत के स्रोत से जुड़ा हुआ हैMOSFET.

MOSFET प्रतिधारण सर्किट, जब A एक कम ट्रिगर सिग्नल प्रदान करता है, इस समय दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 सेट, दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 पिन 5 आउटपुट उच्च स्तर, वोल्टेज तुलनित्र के सकारात्मक चरण इनपुट में उच्च स्तर, नकारात्मक एक संदर्भ वोल्टेज प्रदान करने के लिए प्रतिरोधी आर 4 और डायोड डी 1 द्वारा वोल्टेज तुलनित्र का चरण इनपुट, इस समय, वोल्टेज तुलनित्र आउटपुट उच्च स्तर, ट्रायोड वीडी 1 आचरण करने के लिए उच्च स्तर, ट्रायोड VD1 के कलेक्टर से बहने वाली धारा कैपेसिटर C4 को डायोड D2 के माध्यम से चार्ज करती है, और साथ ही, MOSFET Q1 संचालित करती है, इस समय, मध्यवर्ती रिले K1 का कुंडल अवशोषित हो जाता है, और मध्यवर्ती रिले K1 सामान्य रूप से संपर्क K 1 को बंद कर देता है। -1 डिस्कनेक्ट हो गया है, और मध्यवर्ती रिले K1 के सामान्य रूप से बंद संपर्क K 1-1 के डिस्कनेक्ट होने के बाद, दोहरे समय बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के 1 और 2 फीट की DC बिजली आपूर्ति आपूर्ति प्रदान करती है वोल्टेज को तब तक संग्रहित किया जाता है जब तक कि डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के पिन 1 और पिन 2 पर वोल्टेज को आपूर्ति वोल्टेज के 2/3 तक चार्ज नहीं किया जाता है, डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 स्वचालित रूप से रीसेट नहीं हो जाता है, और डुअल के पिन 5 -टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 स्वचालित रूप से निम्न स्तर पर बहाल हो जाती है, और बाद के सर्किट काम नहीं करते हैं, जबकि इस समय, कैपेसिटर C4 को MOSFET Q1 चालन को अंत तक बनाए रखने के लिए डिस्चार्ज किया जाता है। कैपेसिटेंस C4 डिस्चार्जिंग और मध्यवर्ती रिले K1 कॉइल रिलीज, मध्यवर्ती रिले K1 सामान्य रूप से बंद संपर्क K 11 बंद, इस समय बंद मध्यवर्ती रिले K1 के माध्यम से सामान्य रूप से बंद संपर्क K 1-1 दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 1 फुट और 2 फीट होगा वोल्टेज जारी करने के लिए, दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 पिन 6 को अगली बार तैयार करने के लिए दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 सेट बनाने के लिए एक कम ट्रिगर सिग्नल प्रदान करने के लिए।

इस एप्लिकेशन की सर्किट संरचना सरल और नवीन है, जब दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 पिन 1 और पिन 2 आपूर्ति वोल्टेज के 2/3 पर चार्ज होती है, तो दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 स्वचालित रूप से रीसेट हो सकती है, दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 पिन 5 स्वचालित रूप से निम्न स्तर पर लौट आता है, ताकि बाद के सर्किट काम न करें, ताकि स्वचालित रूप से कैपेसिटर C4 को चार्ज करना बंद हो जाए, और कैपेसिटर C4 की चार्जिंग को रोकने के बाद MOSFET द्वारा बनाए रखा जा सके। Q1 प्रवाहकीय, यह एप्लिकेशन लगातार रख सकता हैMOSFETQ1 3 सेकंड के लिए प्रवाहकीय।

इसमें रेसिस्टर्स R1-R6, इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर C1-C3, कैपेसिटर C4, PNP ट्रांजिस्टर VD1, डायोड D1-D2, इंटरमीडिएट रिले K1, वोल्टेज तुलनित्र, डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 और MOSFET Q1, डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड के पिन 6 शामिल हैं। चिप NE556 का उपयोग सिग्नल इनपुट के रूप में किया जाता है, और रोकनेवाला R1 का एक सिरा दोहरे समय आधार के पिन 14 से जुड़ा होता है इंटीग्रेटेड चिप NE556, रेसिस्टर R2, डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के पिन 14 और डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के पिन 14, और रेसिस्टर R2 डुअल टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 के पिन 14 से जुड़ा है। डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 का पिन 14, रेसिस्टर R2 का एक सिरा, रेसिस्टर R4 का एक सिरा, PNP ट्रांजिस्टर

किस प्रकार का कार्य सिद्धांत?

जब A कम ट्रिगर सिग्नल प्रदान करता है, तो दोहरे समय बेस एकीकृत चिप NE556 सेट, दोहरे समय आधार एकीकृत चिप NE556 पिन 5 आउटपुट उच्च स्तर, वोल्टेज तुलनित्र के सकारात्मक चरण इनपुट में उच्च स्तर, नकारात्मक चरण इनपुट संदर्भ वोल्टेज प्रदान करने के लिए रोकनेवाला R4 और डायोड D1 द्वारा वोल्टेज तुलनित्र, इस बार, वोल्टेज तुलनित्र आउटपुट उच्च स्तर, ट्रांजिस्टर VD1 चालन का उच्च स्तर, के कलेक्टर से वर्तमान प्रवाह ट्रांजिस्टर VD1 डायोड D2 के माध्यम से कैपेसिटर C4 को चार्ज करता है, इस समय, मध्यवर्ती रिले K1 कॉइल सक्शन, मध्यवर्ती रिले K1 कॉइल सक्शन। ट्रांजिस्टर VD1 के कलेक्टर से बहने वाली धारा को डायोड D2 के माध्यम से कैपेसिटर C4 पर चार्ज किया जाता है, और साथ ही,MOSFETQ1 संचालन करता है, इस समय, मध्यवर्ती रिले K1 का कुंडल सक्शन किया जाता है, और मध्यवर्ती रिले K1 सामान्य रूप से बंद संपर्क K 1-1 को काट दिया जाता है, और मध्यवर्ती रिले K1 सामान्य रूप से बंद संपर्क K 1-1 के बाद बिजली काट दी जाती है दोहरी टाइमबेस एकीकृत चिप NE556 के 1 और 2 फीट पर डीसी पावर स्रोत द्वारा प्रदान की गई आपूर्ति वोल्टेज को तब तक संग्रहीत किया जाता है जब तक कि दोहरी टाइम बेस एकीकृत चिप के पिन 1 और पिन 2 पर वोल्टेज न हो जाए। NE556 को आपूर्ति वोल्टेज के 2/3 पर चार्ज किया जाता है, डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 स्वचालित रूप से रीसेट हो जाता है, और डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 का पिन 5 स्वचालित रूप से निम्न स्तर पर बहाल हो जाता है, और बाद के सर्किट नहीं होते हैं काम करते हैं, और इस समय, संधारित्र C4 के निर्वहन के अंत तक MOSFET Q1 चालन को बनाए रखने के लिए संधारित्र C4 को छुट्टी दे दी जाती है, और मध्यवर्ती रिले K1 का कुंडल जारी किया जाता है, और मध्यवर्ती रिले K1 सामान्य रूप से बंद संपर्क K 1-1 डिस्कनेक्ट हो गया है। रिले K1 सामान्य रूप से बंद संपर्क K 1-1 बंद, इस बार बंद मध्यवर्ती रिले K1 के माध्यम से सामान्य रूप से बंद संपर्क K 1-1 दोहरी समय आधार एकीकृत चिप NE556 1 फीट और वोल्टेज रिलीज पर 2 फीट होगा, अगली बार के लिए डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 पिन 6 को कम सेट करने के लिए ट्रिगर सिग्नल प्रदान करने के लिए, ताकि डुअल-टाइम बेस इंटीग्रेटेड चिप NE556 सेट की तैयारी की जा सके।