MOSFET के संचालन का सिद्धांत क्या है?

MOSFET (फ़ील्डइफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर संक्षिप्त नाम (FET)) शीर्षकMOSFET. तापीय चालकता में भाग लेने के लिए वाहकों की एक छोटी संख्या द्वारा, जिसे मल्टी-पोल जंक्शन ट्रांजिस्टर भी कहा जाता है। इसे वोल्टेज-नियंत्रित अर्ध-सुपरकंडक्टर उपकरण के रूप में वर्गीकृत किया गया है। मौजूदा आउटपुट प्रतिरोध उच्च है (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), कम शोर, कम बिजली की खपत, स्थैतिक रेंज, एकीकृत करने में आसान, कोई दूसरा ब्रेकडाउन घटना नहीं, विस्तृत समुद्र का बीमा कार्य और अन्य फायदे, अब बदल गया है मजबूत सहयोगियों के द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर और पावर जंक्शन ट्रांजिस्टर।

MOSFET विशेषताएँ

पहला: MOSFET एक वोल्टेज मास्टरिंग डिवाइस है, यह वीजीएस (गेट सोर्स वोल्टेज) के माध्यम से मास्टर आईडी (ड्रेन डीसी) तक जाता है;

दूसरा:MOSFET'sआउटपुट DC बहुत छोटा है, इसलिए इसका आउटपुट प्रतिरोध बहुत बड़ा है।

तीन: इसमें गर्मी का संचालन करने के लिए कुछ वाहक लगाए जाते हैं, और इस प्रकार इसमें स्थिरता का बेहतर माप होता है;

चार: इसमें छोटे गुणांकों की विद्युत कमी का एक कम पथ शामिल होता है जो ट्रांजिस्टर से छोटा होता है, इसमें छोटे गुणांकों की विद्युत कमी का एक कम पथ होता है;

पांचवां: MOSFET विकिरण-विरोधी शक्ति;

छह: क्योंकि शोर के बिखरे हुए कणों के कारण अल्पसंख्यक फैलाव की कोई दोषपूर्ण गतिविधि नहीं होती है, क्योंकि शोर कम होता है।

MOSFET कार्य सिद्धांत

MOSFETएक वाक्य में कार्य सिद्धांत, वह है, "ड्रेन - स्रोत आईडी के बीच के चैनल के माध्यम से चलते हैं, इलेक्ट्रोड और पीएन के बीच के चैनल को आईडी को मास्टर करने के लिए एक रिवर्स बायस इलेक्ट्रोड वोल्टेज में निर्मित किया जाता है"। अधिक सटीक रूप से, सर्किट भर में आईडी का आयाम, यानी, चैनल पार-अनुभागीय क्षेत्र, यह पीएन जंक्शन प्रति-पक्षपाती भिन्नता द्वारा होता है, कारण की महारत की भिन्नता का विस्तार करने के लिए कमी परत की घटना। वीजीएस = 0 के गैर-संतृप्त समुद्र में, संकेतित संक्रमण परत का विस्तार बहुत बड़ा नहीं है, क्योंकि नाली-स्रोत के बीच जोड़े गए वीडीएस के चुंबकीय क्षेत्र के अनुसार, स्रोत समुद्र में कुछ इलेक्ट्रॉनों को नाली द्वारा खींच लिया जाता है , यानी, नाली से स्रोत तक एक डीसी आईडी गतिविधि है। गेट से नाली तक फैलने वाली मध्यम परत चैनल के पूरे शरीर में एक रुकावट प्रकार का निर्माण करेगी, आईडी पूर्ण। इस पैटर्न को पिंच-ऑफ़ के रूप में देखें। यह प्रतीक है कि संक्रमण परत पूरे चैनल को बाधित करती है, और ऐसा नहीं है कि डीसी कट गया है।

संक्रमण परत में, क्योंकि इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की कोई आत्म-गति नहीं होती है, सामान्य डीसी करंट के अस्तित्व की इन्सुलेटिंग विशेषताओं के वास्तविक रूप में इसे स्थानांतरित करना मुश्किल होता है। हालाँकि, नाली-स्रोत के बीच का चुंबकीय क्षेत्र, व्यवहार में, दो संक्रमण परत नाली और गेट पोल से नीचे बाईं ओर संपर्क करता है, क्योंकि बहाव चुंबकीय क्षेत्र संक्रमण परत के माध्यम से उच्च गति वाले इलेक्ट्रॉनों को खींचता है। क्योंकि बहाव चुंबकीय क्षेत्र की ताकत आईडी दृश्य की पूर्णता को नहीं बदलती है। दूसरे, वीजीएस से नकारात्मक स्थिति बदल जाती है, जिससे वीजीएस = वीजीएस (बंद) हो जाता है, फिर संक्रमण परत बड़े पैमाने पर पूरे समुद्र को कवर करने का आकार बदल देती है। और वीडीएस का चुंबकीय क्षेत्र बड़े पैमाने पर संक्रमण परत में जोड़ा जाता है, चुंबकीय क्षेत्र जो इलेक्ट्रॉन को बहाव की स्थिति में खींचता है, जब तक कि वह बहुत ही कम समय के स्रोत ध्रुव के करीब होता है, जो अधिक है ताकि डीसी शक्ति न हो स्थिर होने में सक्षम.