MOSFETsव्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। अब कुछ बड़े पैमाने पर एकीकृत सर्किट का उपयोग MOSFET, मूल कार्य और BJT ट्रांजिस्टर, स्विचिंग और प्रवर्धन के लिए किया जाता है। मूल रूप से BJT ट्रायोड का उपयोग किया जा सकता है जहां इसका उपयोग किया जा सकता है, और कुछ स्थानों पर प्रदर्शन ट्रायोड से बेहतर है।
MOSFET का प्रवर्धन
MOSFET और BJT ट्रायोड, हालांकि दोनों सेमीकंडक्टर एम्पलीफायर डिवाइस हैं, लेकिन ट्रायोड की तुलना में अधिक फायदे हैं, जैसे उच्च इनपुट प्रतिरोध, सिग्नल स्रोत लगभग कोई वर्तमान नहीं है, जो इनपुट सिग्नल की स्थिरता के लिए अनुकूल है। यह इनपुट स्टेज एम्पलीफायर के रूप में एक आदर्श उपकरण है, और इसमें कम शोर और अच्छे तापमान स्थिरता के फायदे भी हैं। इसका उपयोग अक्सर ऑडियो प्रवर्धन सर्किट के लिए प्रीएम्प्लीफायर के रूप में किया जाता है। हालाँकि, क्योंकि यह एक वोल्टेज-नियंत्रित करंट डिवाइस है, ड्रेन करंट को गेट स्रोत के बीच वोल्टेज द्वारा नियंत्रित किया जाता है, कम-आवृत्ति ट्रांसकंडक्टेंस का प्रवर्धन गुणांक आम तौर पर बड़ा नहीं होता है, इसलिए प्रवर्धन क्षमता खराब होती है।
MOSFET का स्विचिंग प्रभाव
MOSFET का उपयोग इलेक्ट्रॉनिक स्विच के रूप में किया जाता है, केवल पॉलीऑन चालकता पर निर्भर होने के कारण, बेस करंट और चार्ज स्टोरेज प्रभाव के कारण BJT ट्रायोड जैसा कोई नहीं होता है, इसलिए स्विचिंग ट्यूब के रूप में MOSFET की स्विचिंग गति ट्रायोड से तेज होती है इसका उपयोग अक्सर उच्च-आवृत्ति उच्च-वर्तमान अवसरों के लिए किया जाता है, जैसे कि कार्य की उच्च-आवृत्ति उच्च-वर्तमान स्थिति में MOSFET में उपयोग की जाने वाली बिजली आपूर्ति को स्विच करना। BJT ट्रायोड स्विच की तुलना में, MOSFET स्विच छोटे वोल्टेज और धाराओं पर काम कर सकते हैं, और सिलिकॉन वेफर्स पर एकीकृत करना आसान है, इसलिए इन्हें बड़े पैमाने पर एकीकृत सर्किट में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।
उपयोग करते समय क्या सावधानियां बरतेंMOSFETs?
MOSFETs ट्रायोड की तुलना में अधिक नाजुक होते हैं और अनुचित उपयोग से आसानी से क्षतिग्रस्त हो सकते हैं, इसलिए उनका उपयोग करते समय विशेष सावधानी बरतनी चाहिए।
(1) विभिन्न उपयोग अवसरों के लिए उपयुक्त प्रकार के MOSFET का चयन करना आवश्यक है।
(2) एमओएसएफईटी, विशेष रूप से इंसुलेटेड-गेट एमओएसएफईटी, में उच्च इनपुट प्रतिबाधा होती है, और गेट इंडक्शन चार्ज के कारण ट्यूब को होने वाले नुकसान से बचने के लिए उपयोग में न होने पर प्रत्येक इलेक्ट्रोड को छोटा किया जाना चाहिए।
(3) जंक्शन MOSFETs के गेट स्रोत वोल्टेज को उलटा नहीं किया जा सकता है, लेकिन खुले सर्किट स्थिति में सहेजा जा सकता है।
(4) MOSFET के उच्च इनपुट प्रतिबाधा को बनाए रखने के लिए, ट्यूब को नमी से बचाया जाना चाहिए और उपयोग के वातावरण में सूखा रखा जाना चाहिए।
(5) MOSFET के संपर्क में आने वाली चार्ज की गई वस्तुओं (जैसे सोल्डरिंग आयरन, परीक्षण उपकरण, आदि) को ट्यूब को नुकसान से बचाने के लिए ग्राउंडेड किया जाना चाहिए। विशेष रूप से जब वेल्डिंग इंसुलेटेड गेट MOSFET, स्रोत के अनुसार - वेल्डिंग के गेट अनुक्रमिक क्रम, बिजली बंद होने के बाद वेल्ड करना सबसे अच्छा है। टांका लगाने वाले लोहे की शक्ति 15 ~ 30W तक उपयुक्त है, वेल्डिंग का समय 10 सेकंड से अधिक नहीं होना चाहिए।
(6) इंसुलेटेड गेट MOSFET का परीक्षण मल्टीमीटर से नहीं किया जा सकता है, केवल एक परीक्षक के साथ परीक्षण किया जा सकता है, और इलेक्ट्रोड की शॉर्ट-सर्किट वायरिंग को हटाने के लिए परीक्षक तक पहुंच के बाद ही। हटाए जाने पर, गेट ओवरहैंग से बचने के लिए हटाने से पहले इलेक्ट्रोड को शॉर्ट सर्किट करना आवश्यक है।
(7) उपयोग करते समयMOSFETsसब्सट्रेट लीड के साथ, सब्सट्रेट लीड ठीक से जुड़ा होना चाहिए।
पोस्ट करने का समय: अप्रैल-23-2024
