MOSFETsभूमिका निभाओस्विचिंग सर्किट मेंसर्किट को चालू और बंद और सिग्नल रूपांतरण को नियंत्रित करना है।MOSFETs मोटे तौर पर दो श्रेणियों में विभाजित किया जा सकता है: एन-चैनल और पी-चैनल।
एन-चैनल मेंMOSFETसर्किट, बजर प्रतिक्रिया को सक्षम करने के लिए बीईईपी पिन उच्च है, और बजर को बंद करने के लिए कम है। पी-चैनलMOSFETजीपीएस मॉड्यूल बिजली आपूर्ति को चालू और बंद नियंत्रित करने के लिए, चालू होने पर जीपीएस_पीडब्ल्यूआर पिन कम है, जीपीएस मॉड्यूल है सामान्य बिजली आपूर्ति, और जीपीएस मॉड्यूल को बंद करने के लिए उच्च।
पी-चैनलMOSFETपी + क्षेत्र पर एन-प्रकार के सिलिकॉन सब्सट्रेट में दो हैं: नाली और स्रोत। ये दोनों ध्रुव एक दूसरे के लिए प्रवाहकीय नहीं हैं, जब ग्राउंडेड होने पर स्रोत में पर्याप्त सकारात्मक वोल्टेज जोड़ा जाता है, तो गेट के नीचे एन-प्रकार की सिलिकॉन सतह नाली और स्रोत को जोड़ने वाले चैनल में पी-प्रकार उलटा परत के रूप में उभरेगी। . गेट पर वोल्टेज बदलने से चैनल में छेद का घनत्व बदल जाता है, जिससे चैनल प्रतिरोध बदल जाता है। इसे पी-चैनल एन्हांसमेंट फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर कहा जाता है।
एनएमओएस विशेषताएं, वीजीएस जब तक एक निश्चित मूल्य से अधिक होगा, स्रोत ग्राउंडेड लो-एंड ड्राइव केस पर लागू होगा, बशर्ते कि लाइन पर गेट वोल्टेज 4V या 10V हो।
एनएमओएस के विपरीत, पीएमओएस की विशेषताएं तब तक चालू रहेंगी जब तक वीजीएस एक निश्चित मूल्य से कम है, और यह उच्च अंत ड्राइव के मामले में उपयोग के लिए उपयुक्त है जब स्रोत वीसीसी से जुड़ा हुआ है। हालाँकि, प्रतिस्थापन प्रकारों की कम संख्या, उच्च प्रतिरोध और उच्च कीमत के कारण, हालांकि उच्च-अंत ड्राइव के मामले में पीएमओएस का उपयोग बहुत आसानी से किया जा सकता है, इसलिए उच्च-अंत ड्राइव में, आम तौर पर अभी भी एनएमओएस का उपयोग किया जाता है।
कुल मिलाकर,MOSFETsइनमें उच्च इनपुट प्रतिबाधा होती है, सर्किट में सीधे युग्मन की सुविधा होती है, और बड़े पैमाने पर एकीकृत सर्किट में निर्माण करना अपेक्षाकृत आसान होता है।
पोस्ट करने का समय: जुलाई-20-2024
