MOSFETs और ट्रांजिस्टर का समानांतर सिद्धांत

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MOSFETs और ट्रांजिस्टर का समानांतर सिद्धांत

समानांतर ट्रांजिस्टर और एमओएसएफईटी के मूल सिद्धांत के बारे में: सबसे पहले, ट्रांजिस्टर का एक नकारात्मक घातीय तापमान मान होता है, यानी, जब ट्रांजिस्टर का तापमान स्वयं बढ़ता है, तो ऑन-प्रतिरोध छोटा हो जाएगा। दूसरे, MOSFETs में ट्रांजिस्टर के विपरीत एक सकारात्मक घातीय तापमान मान होता है, जिसका अर्थ है कि जब तापमान बढ़ता है, तो ऑन-प्रतिरोध धीरे-धीरे बढ़ेगा।

ट्रांजिस्टर की तुलना में, MOSFETs वास्तव में समानांतर पावर सर्किट में करंट को बराबर करने के लिए अधिक उपयुक्त हैं। इसलिए जब बिजली आपूर्ति सर्किट में करंट अपेक्षाकृत बड़ा होता है, तो हम आमतौर पर शंट के लिए समानांतर MOSFETs के उपयोग की सलाह देते हैं। जब हम करंट को बराबर करने के लिए MOSFETs चुनते हैं, और एक तरीके से करंट MOSFET करंट से अधिक हो जाता है, तो बड़े MOSFETs की गर्मी के कारण MOSFET का करंट, जिसके परिणामस्वरूप ऑन-ऑफ प्रतिरोध बड़ा हो जाता है , वर्तमान की कमी को कम करना; MOSFETs वर्तमान में अंतर के आधार पर लगातार समायोजित होते हैं, और अंततः दोनों के बीच वर्तमान संतुलन का एहसास करते हैंMOSFETs.

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जिन चीजों पर हमें ध्यान देने की आवश्यकता है उनमें से एक: उच्च-वर्तमान वस्तुओं के प्रवाह को पूरा करने के लिए ट्रांजिस्टर को समानांतर में भी जोड़ा जा सकता है, लेकिन फिर आपको प्रत्येक के वर्तमान संतुलन से निपटने के लिए श्रृंखला ड्राइव अवरोधक के आधार पर भी आधारित होना होगा। समस्या के बीच में समानांतर ट्रांजिस्टर।

ट्रांजिस्टर समानांतर कनेक्शन की सामान्य समस्याएं:

(1), दोलन से बचने के लिए प्रत्येक ट्रांजिस्टर के गेट को ड्राइव को चलाने के लिए श्रृंखला में प्रत्येक ड्राइव अवरोधक से सीधे नहीं जोड़ा जा सकता है।

(2), प्रत्येक ट्रांजिस्टर में हेरफेर करना(एमओएसएफईटी)स्थिरता बनाए रखने के लिए खुलने का समय और बंद करने का समय, क्योंकि यदि सुसंगत नहीं है, तो पहले पाइपलाइन खोलें या बंद करें अत्यधिक वर्तमान प्रवेश के कारण पाइपलाइन नष्ट हो जाएगी।

(3), और अंत में, हम एक समान अवरोधक के साथ श्रृंखला में प्रत्येक ट्रांजिस्टर के स्रोत में सक्षम होना चाहेंगे, निश्चित रूप से, ऐसा करना आवश्यक नहीं है, केवल मामले में।

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पोस्ट समय: जुलाई-05-2024