(1) MOSFET एक वोल्टेज-हेरफेर करने वाला तत्व है, जबकि ट्रांजिस्टर एक करंट-हेरफेर करने वाला तत्व है। ड्राइविंग क्षमता उपलब्ध नहीं है, ड्राइव करंट बहुत छोटा है, इसका चयन किया जाना चाहिएMOSFET; और सिग्नल में वोल्टेज कम है, और इलेक्ट्रिक फिशिंग मशीन ड्राइव स्टेज स्थितियों से अधिक करंट लेने का वादा किया गया है, ट्रांजिस्टर का चयन किया जाना चाहिए।
(2) MOSFET अधिकांश वाहक प्रवाहकीय का उपयोग होता है, जिसे एकध्रुवीय उपकरण कहा जाता है, जबकि ट्रांजिस्टर में अधिकांश वाहक होते हैं, लेकिन कम संख्या में वाहक प्रवाहकीय का उपयोग भी होता है। इसे द्विध्रुवी उपकरण कहते हैं।
(3) कुछMOSFET गेट के उपयोग के लिए स्रोत और नाली का आदान-प्रदान किया जा सकता है वोल्टेज सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है, ट्रांजिस्टर की तुलना में लचीलापन अच्छा है।
(4) MOSFET बहुत कम करंट और बहुत कम वोल्टेज की स्थिति में काम कर सकता है, और इसकी उत्पादन प्रक्रिया एक सिलिकॉन चिप में कई MOSFETs को एकीकृत करने के लिए बहुत सुविधाजनक हो सकती है, इसलिए बड़े पैमाने पर एकीकृत सर्किट में MOSFETs का व्यापक रूप से उपयोग किया गया है।
(5) MOSFET में उच्च इनपुट प्रतिबाधा और कम शोर के फायदे हैं, इसलिए इसका उपयोग विभिन्न प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक ट्रैप उपकरणों में भी व्यापक रूप से किया जाता है। विशेष रूप से पूरे इलेक्ट्रॉनिक उपकरण इनपुट, आउटपुट चरण को करने के लिए क्षेत्र प्रभाव ट्यूब के साथ, सामान्य ट्रांजिस्टर फ़ंक्शन तक पहुंचना मुश्किल हो सकता है।
(6)MOSFETs को दो श्रेणियों में विभाजित किया गया है: लाल जंक्शन प्रकार और इंसुलेटेड गेट प्रकार, और उनके हेरफेर सिद्धांत समान हैं।
वास्तव में, ट्रायोड सस्ता और उपयोग करने के लिए अधिक सुविधाजनक है, आमतौर पर पुराने कम-आवृत्ति फिशर में उपयोग किया जाता है, उच्च-आवृत्ति उच्च गति सर्किट, उच्च-वर्तमान अवसरों के लिए MOSFET, इसलिए नए प्रकार के उच्च-आवृत्ति अल्ट्रासोनिक फिशर, आवश्यक हैं हैबड़ा एमओएस. आम तौर पर बोलते हुए, कम लागत वाले अवसर, ट्रांजिस्टर के उपयोग पर विचार करने वाले पहले व्यक्ति का सामान्य उपयोग, यदि आप एमओएस पर विचार करना चाहते हैं तो नहीं।
MOSFET टूटने के कारण और समाधान इस प्रकार हैं
सबसे पहले, MOSFET का इनपुट प्रतिरोध स्वयं बहुत अधिक है, और गेट-स्रोत अंतर-इलेक्ट्रोड कैपेसिटेंस बहुत छोटा है, इसलिए यह बाहरी विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों या इलेक्ट्रोस्टैटिक अधिष्ठापन और चार्ज के लिए अतिसंवेदनशील है, और थोड़ी मात्रा में चार्ज बन सकता है उचित उच्च वोल्टेज (यू = क्यू/सी) के अंतर-इलेक्ट्रोड कैपेसिटेंस में, ट्यूब क्षतिग्रस्त हो जाएगी। हालांकि इलेक्ट्रिक फिशिंग मशीन के एमओएस इनपुट में स्थैतिक-रोधी रखरखाव के उपाय हैं, लेकिन फिर भी सर्वोत्तम धातु के कंटेनरों या प्रवाहकीय सामग्री पैकेजिंग के भंडारण और वितरण में सावधानी बरतने की जरूरत है, स्थैतिक उच्च वोल्टेज पर हमला करना आसान नहीं है रासायनिक सामग्री या रासायनिक फाइबर कपड़े। असेंबली, कमीशनिंग, चीजें, उपस्थिति, वर्कस्टेशन इत्यादि उत्कृष्ट ग्राउंडिंग होनी चाहिए। ऑपरेटर के इलेक्ट्रोस्टैटिक हस्तक्षेप क्षति से बचने के लिए, जैसे कि नायलॉन, रासायनिक फाइबर कपड़े नहीं पहनना चाहिए, एकीकृत ब्लॉक को छूने से पहले हाथ या कुछ और जमीन से कनेक्ट करना सबसे अच्छा है। उपकरण को सीधा करने और मोड़ने या मैन्युअल वेल्डिंग करने के लिए, बकाया ग्राउंडिंग के लिए उपकरण का उपयोग आवश्यक है।
दूसरा, MOSFET सर्किट के इनपुट पर रखरखाव डायोड, इसकी ऑन-टाइम वर्तमान सहिष्णुता आम तौर पर अत्यधिक क्षणिक इनपुट वर्तमान (10mA से अधिक) की संभावना में 1mA है, इनपुट रखरखाव अवरोधक से जुड़ा होना चाहिए। और प्रारंभिक डिज़ाइन में 129# ने रखरखाव अवरोधक में भाग नहीं लिया, यही कारण है कि MOSFET टूट सकता है, और एक आंतरिक रखरखाव अवरोधक को प्रतिस्थापित करके MOSFET को ऐसी विफलता की शुरुआत से बचने में सक्षम होना चाहिए। और क्योंकि क्षणिक ऊर्जा को अवशोषित करने के लिए रखरखाव सर्किट सीमित है, बहुत बड़ा क्षणिक संकेत और बहुत अधिक इलेक्ट्रोस्टैटिक वोल्टेज रखरखाव सर्किट को प्रभाव खो देगा। इसलिए जब वेल्डिंग सोल्डरिंग आयरन को लीकेज ब्रेकडाउन उपकरण इनपुट, सामान्य उपयोग को रोकने के लिए मजबूती से ग्राउंड किया जाना आवश्यक होता है, तो वेल्डिंग के लिए सोल्डरिंग आयरन की अवशिष्ट गर्मी का उपयोग करने के बाद इसे बंद किया जा सकता है, और पहले इसके ग्राउंडेड पिन को वेल्ड किया जा सकता है।
पोस्ट करने का समय: जुलाई-31-2024
