आमतौर पर MOSFETs के लिए उपयोग किए जाने वाले सर्किट प्रतीकों के कई रूप हैं। सबसे आम डिज़ाइन चैनल का प्रतिनिधित्व करने वाली एक सीधी रेखा है, स्रोत और नाली का प्रतिनिधित्व करने वाले चैनल के लंबवत दो रेखाएं, और बाईं ओर चैनल के समानांतर एक छोटी रेखा गेट का प्रतिनिधित्व करती है। कभी-कभी एन्हांसमेंट मोड के बीच अंतर करने के लिए चैनल का प्रतिनिधित्व करने वाली सीधी रेखा को टूटी हुई रेखा से भी बदल दिया जाता हैMOSFET या कमी मोड मस्जिद, जिसे एन-चैनल एमओएसएफईटी और पी-चैनल एमओएसएफईटी दो प्रकार के सर्किट प्रतीकों में भी विभाजित किया गया है जैसा कि चित्र में दिखाया गया है (तीर की दिशा अलग है)।
पावर MOSFETs दो मुख्य तरीकों से काम करते हैं:
(1) जब डी और एस (ड्रेन पॉजिटिव, सोर्स नेगेटिव) और यूजीएस=0 में एक पॉजिटिव वोल्टेज जोड़ा जाता है, तो पी बॉडी क्षेत्र और एन ड्रेन क्षेत्र में पीएन जंक्शन रिवर्स बायस्ड होता है, और डी के बीच कोई करंट नहीं गुजरता है। और एस। यदि जी और एस के बीच एक सकारात्मक वोल्टेज यूजीएस जोड़ा जाता है, तो कोई गेट करंट प्रवाहित नहीं होगा क्योंकि गेट अछूता है, लेकिन गेट पर एक सकारात्मक वोल्टेज छेद को नीचे पी क्षेत्र से दूर धकेल देगा, और अल्पसंख्यक वाहक इलेक्ट्रॉन होंगे पी क्षेत्र की सतह की ओर आकर्षित होना जब यूजीएस एक निश्चित वोल्टेज यूटी से अधिक होता है, तो गेट के नीचे पी क्षेत्र की सतह पर इलेक्ट्रॉन एकाग्रता छेद एकाग्रता से अधिक हो जाएगी, इस प्रकार पी-प्रकार अर्धचालक एंटीपैटर्न परत एन-प्रकार अर्धचालक बन जाएगी ; यह एंटीपैटर्न परत स्रोत और नाली के बीच एक एन-प्रकार चैनल बनाती है, जिससे पीएन जंक्शन गायब हो जाता है, स्रोत और नाली प्रवाहकीय हो जाती है, और एक नाली वर्तमान आईडी नाली के माध्यम से बहती है। यूटी को टर्न-ऑन वोल्टेज या थ्रेशोल्ड वोल्टेज कहा जाता है, और जितना अधिक यूजीएस यूटी से अधिक होता है, प्रवाहकीय क्षमता उतनी ही अधिक होती है, और आईडी उतनी ही बड़ी होती है। यूजीएस जितना अधिक यूटी से अधिक होगा, चालकता उतनी ही मजबूत होगी, आईडी उतनी ही अधिक होगी।
(2) जब डी, एस प्लस नकारात्मक वोल्टेज (स्रोत सकारात्मक, नाली नकारात्मक), पीएन जंक्शन आगे की ओर पक्षपाती होता है, जो एक आंतरिक रिवर्स डायोड के बराबर होता है (इसमें तेज़ प्रतिक्रिया विशेषताएँ नहीं होती हैं), अर्थात,MOSFET इसमें रिवर्स ब्लॉकिंग क्षमता नहीं है, इसे व्युत्क्रम चालन घटकों के रूप में माना जा सकता है।
सेMOSFET संचालन के सिद्धांत को देखा जा सकता है, इसके संचालन में केवल एक ध्रुवीयता वाहक शामिल होता है, इसलिए इसे एकध्रुवीय ट्रांजिस्टर के रूप में भी जाना जाता है। MOSFET ड्राइव अक्सर उपयुक्त सर्किट का चयन करने के लिए बिजली आपूर्ति IC और MOSFET मापदंडों पर आधारित होता है, MOSFET का उपयोग आमतौर पर स्विचिंग के लिए किया जाता है बिजली आपूर्ति ड्राइव सर्किट। MOSFET का उपयोग करके स्विचिंग बिजली आपूर्ति को डिज़ाइन करते समय, अधिकांश लोग MOSFET के ऑन-प्रतिरोध, अधिकतम वोल्टेज और अधिकतम करंट पर विचार करते हैं। हालाँकि, लोग अक्सर इन कारकों पर ही विचार करते हैं, ताकि सर्किट ठीक से काम कर सके, लेकिन यह एक अच्छा डिज़ाइन समाधान नहीं है। अधिक विस्तृत डिज़ाइन के लिए, MOSFET को अपनी स्वयं की पैरामीटर जानकारी पर भी विचार करना चाहिए। एक निश्चित MOSFET के लिए, इसका ड्राइविंग सर्किट, ड्राइव आउटपुट का पीक करंट आदि, MOSFET के स्विचिंग प्रदर्शन को प्रभावित करेगा।
पोस्ट समय: मई-17-2024
