MOSFET चालन विशेषताएँ

यह है याएनएमओएसया पीएमओएस, ऑन-रेजिस्टेंस के बाद ऑन-रेजिस्टेंस होगा, ताकि प्रतिरोध में करंट एक निश्चित मात्रा में बिजली की खपत कर सके, इस खपत को ऑन-रेजिस्टेंस लॉस कहा जाता है। इस बिंदु पर, हम केवल छोटे MOSFET के ऑन-रेजिस्टेंस को चुनते हैं, जो ऑन-रेजिस्टेंस हानि को कम कर सकता है, आज की कम-शक्तिMOSFETऑन-प्रतिरोध आम तौर पर दर्जनों मिलिओहम्स होता है, या स्थिति के पूरा होने पर एमओएस की उपस्थिति के कुछ मिलिओहम्स भी एक फ्लैश में नहीं होते हैं।
एमओएस के दोनों तरफ वोल्टेज कम होने की प्रक्रिया होती है, वर्तमान प्रवाह बढ़ने की प्रक्रिया में होता है, इस अवधि में, वोल्टेज और वर्तमान एमओएसएफईटी के नुकसान के आकार से गुणा हो जाते हैं। सामान्य स्विचिंग हानि चालन के नुकसान से बहुत बड़ी है, और यदि स्विचिंग आवृत्ति जितनी अधिक होगी, नुकसान उतना ही अधिक होगा। चालन के समय वोल्टेज और धारा का गुणन जितना अधिक होगा, हानि उतनी ही अधिक होगी। यदि हम स्विचिंग समय को कम कर सकते हैं, तो हम प्रत्येक चालन पर हानि को कम कर सकते हैं, स्विचिंग की आवृत्ति को कम कर सकते हैं, साथ ही एक निश्चित अवधि के भीतर स्विचिंग की आवृत्ति को भी कम कर सकते हैं, ताकि स्विचिंग हानि को कम किया जा सके।

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