IGBT और MOSFET के बीच अंतर

आईजीबीटी (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर) और एमओएसएफईटी (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) दो सामान्य पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस हैं जिनका व्यापक रूप से पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किया जाता है। हालाँकि दोनों विभिन्न अनुप्रयोगों में आवश्यक घटक हैं, फिर भी वे कई पहलुओं में महत्वपूर्ण रूप से भिन्न हैं। IGBT और MOSFET के बीच प्राथमिक अंतर नीचे दिए गए हैं:

1. कार्य सिद्धांत

- IGBT: IGBT BJT (बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर) और MOSFET दोनों की विशेषताओं को जोड़ता है, जिससे यह एक हाइब्रिड डिवाइस बन जाता है। यह MOSFET के गेट वोल्टेज के माध्यम से BJT के आधार को नियंत्रित करता है, जो बदले में BJT के संचालन और कटऑफ को नियंत्रित करता है। हालाँकि IGBT की चालन और कटऑफ प्रक्रियाएँ अपेक्षाकृत जटिल हैं, इसमें कम चालन वोल्टेज हानि और उच्च वोल्टेज सहनशीलता होती है।

- MOSFET: MOSFET एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर है जो गेट वोल्टेज के माध्यम से अर्धचालक में करंट को नियंत्रित करता है। जब गेट वोल्टेज स्रोत वोल्टेज से अधिक हो जाता है, तो एक प्रवाहकीय परत बन जाती है, जिससे करंट प्रवाहित होता है। इसके विपरीत, जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड से नीचे होता है, तो प्रवाहकीय परत गायब हो जाती है, और करंट प्रवाहित नहीं हो पाता है। MOSFET का संचालन तेज़ स्विचिंग गति के साथ अपेक्षाकृत सरल है।

2. आवेदन क्षेत्र

- आईजीबीटी: अपनी उच्च वोल्टेज सहनशीलता, कम चालन वोल्टेज हानि और तेज़ स्विचिंग प्रदर्शन के कारण, आईजीबीटी विशेष रूप से इनवर्टर, मोटर ड्राइवर, वेल्डिंग मशीन और निर्बाध बिजली आपूर्ति (यूपीएस) जैसे उच्च-शक्ति, कम-नुकसान अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है। . इन अनुप्रयोगों में, IGBT कुशलतापूर्वक उच्च-वोल्टेज और उच्च-वर्तमान स्विचिंग संचालन का प्रबंधन करता है।

- MOSFET: MOSFET, अपनी तेज़ प्रतिक्रिया, उच्च इनपुट प्रतिरोध, स्थिर स्विचिंग प्रदर्शन और कम लागत के साथ, कम-शक्ति, तेज़-स्विचिंग अनुप्रयोगों जैसे स्विच-मोड बिजली आपूर्ति, प्रकाश व्यवस्था, ऑडियो एम्पलीफायर और लॉजिक सर्किट में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। . MOSFET कम-शक्ति और कम-वोल्टेज अनुप्रयोगों में असाधारण रूप से अच्छा प्रदर्शन करता है।