MOSFET की अप्रभावीता के कारणों का विश्लेषण

1, वोल्टेज विफलता के बारे में अक्सर कहा जाता है कि बीवीडीएस वोल्टेज के स्रोत के बीच रिसाव मस्जिद के रेटेड वोल्टेज से अधिक है, और एक निश्चित क्षमता से परे मस्जिद विफलता का कारण बन सकता है।

2, वर्तमान विफलता जो मस्जिद की सुरक्षित कार्य सीमा से अधिक है और अमान्य है, जिसे आईडी में विभाजित किया गया है, डिवाइस विनिर्देशों से अधिक है और इसकी आईडी के कारण होने वाली विफलता बहुत बड़ी है, उच्च टूट-फूट है जिसके परिणामस्वरूप लंबे समय तक थर्मल संचय होता है उपकरण और विफलता.

3, ब्रिज, एलएलसी और बॉडी डायोड के लिए अन्य प्रभावी वर्तमान टोपोलॉजी को पूरा करने के लिए, क्योंकि बॉडी डायोड नष्ट हो गया है और अमान्य है।

4, समानांतर अनुप्रयोग प्रक्रिया में, सर्किट परजीवी मापदंडों के साथ गेट में उतार-चढ़ाव होता है जो अनुनाद विफलता का कारण बनेगा।

5, शुष्क वातावरण में, क्योंकि मानव शरीर और उपकरण और उपकरण द्वारा उत्पन्न स्थैतिक बिजली स्थैतिक अप्रभावी हो जाएगी।

6. गेट पर असामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज शिखर के कारण गेट वोल्टेज अमान्य है।

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