WST2088A एन-चैनल 20V ​​7.5A SOT-23-3L विंसोक MOSFET

उत्पादों

WST2088A एन-चैनल 20V ​​7.5A SOT-23-3L विंसोक MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:


  • मॉडल संख्या:WST2088A
  • बीवीडीएसएस:20V
  • आरडीएसओएन:10.7mΩ
  • पहचान:7.5ए
  • चैनल:एन चैनल
  • पैकेट:SOT-23-3L
  • उत्पाद सारांश:WST2088A MOSFET का वोल्टेज 20V है, करंट 7.5A है, प्रतिरोध 10.7mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज SOT-23-3L है।
  • अनुप्रयोग:इलेक्ट्रॉनिक सिगरेट, नियंत्रक, डिजिटल उत्पाद, छोटे घरेलू उपकरण, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, आदि।
  • उत्पाद विवरण

    आवेदन

    उत्पाद टैग

    सामान्य विवरण

    WST2088A अत्यधिक उच्च सेल घनत्व वाला उच्चतम प्रदर्शन ट्रेंच N-ch MOSFETs है, जो अधिकांश छोटे पावर स्विचिंग और लोड स्विच अनुप्रयोगों के लिए उत्कृष्ट RDSON और गेट चार्ज प्रदान करता है। WST2088A स्वीकृत पूर्ण कार्य विश्वसनीयता के साथ RoHS और हरित उत्पाद की आवश्यकता को पूरा करता है।

    विशेषताएँ

    उन्नत उच्च सेल घनत्व ट्रेंच तकनीक, सुपर लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट सीडीवी/डीटी प्रभाव में गिरावट, ग्रीन डिवाइस उपलब्ध है

    अनुप्रयोग

    पावर स्विचिंग एप्लिकेशन, हार्ड स्विच्ड और हाई फ्रीक्वेंसी सर्किट, अनइंटरप्टिबल पावर सप्लाई, इलेक्ट्रॉनिक सिगरेट, कंट्रोलर, डिजिटल उत्पाद, छोटे घरेलू उपकरण, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, आदि।

    संगत सामग्री संख्या

    AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, आदि।

    महत्वपूर्ण पैरामीटर

    विद्युत विशेषताएँ (TJ=25 ℃, जब तक कि अन्यथा उल्लेख न किया गया हो)

    प्रतीक पैरामीटर रेटिंग इकाइयों
    वीडीएस नाली-स्रोत वोल्टेज 20 V
    वीजीएस गेट-स्रोत वोल्टेज ±12 V
    आईडी@टीसी=25℃ सतत नाली धारा, वीजीएस @ 4.5V 7.5 A
    आईडी@टीसी=70℃ सतत नाली धारा, वीजीएस @ 4.5V 4.5 A
    आईडीपी स्पंदित नाली धारा 24 A
    PD@TA=25℃ कुल शक्ति अपव्यय 1.25 W
    टीएसटीजी भंडारण तापमान रेंज -55 से 150
    TJ ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 से 150
    प्रतीक पैरामीटर स्थितियाँ न्यूनतम. प्रकार. अधिकतम. इकाई
    बीवीडीएसएस नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज वीजीएस=0वी, आईडी=250यूए 20 --- --- V
    △बीवीडीएसएस/△टीजे बीवीडीएसएस तापमान गुणांक 25℃, आईडी=1एमए का संदर्भ --- 0.018 --- वी/℃
    आरडीएस(चालू) स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेज़िस्टेंस2 वीजीएस=4.5वी, आईडी=6ए --- 10.7 14 एमΩ
    वीजीएस=2.5वी, आईडी=5ए --- 12.8 17
    वीजीएस(वें) गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज वीजीएस=वीडीएस, आईडी=250यूए 0.4 0.63 1.2 V
    आईडीएसएस नाली-स्रोत रिसाव धारा वीडीएस=16वी, वीजीएस=0वी। --- --- 10 uA
    आईजीएसएस गेट-सोर्स लीकेज करंट वीजीएस=±12वी, वीडीएस=0वी --- --- ±100 nA
    Qg कुल गेट चार्ज वीडीएस=15वी, वीजीएस=4.5वी, आईडी=6ए --- 10 --- nC
    Qgs गेट-सोर्स चार्ज --- 1.6 ---
    Qgd गेट-ड्रेन चार्ज --- 3.4 ---
    टीडी(पर) चालू करने में विलंब का समय वीडीएस=10वी, वीजीएस=4.5वी, आरजी=3.3Ω आईडी=1ए --- 8 --- ns
    Tr वृद्धि समय --- 15 ---
    टीडी(बंद) टर्न-ऑफ विलंब समय --- 33 ---
    Tf पतझड़ का समय --- 13 ---
    सीस इनपुट कैपेसिटेंस वीडीएस=15वी, वीजीएस=0वी, एफ=1मेगाहर्ट्ज --- 590 --- pF
    कॉस आउटपुट कैपेसिटेंस --- 125 ---
    सी.आर.एस.एस रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस --- 90 ---

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