WST2078 N&P चैनल 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L Winsok MOSFET

WST2078 N&P चैनल 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L विंसोक MOSFET फ़ीचर्ड छवि

संक्षिप्त वर्णन:

मॉडल संख्या:WST2078

बीवीडीएसएस:20V/-20V

आरडीएसओएन:45mΩ/65mΩ

पहचान:3.8ए/-4.5ए

चैनल:एन एंड पी चैनल

पैकेट:SOT-23-6L

उत्पाद सारांश:WST2078 MOSFET की वोल्टेज रेटिंग 20V और -20V है।यह 3.8A और -4.5A की धाराओं को संभाल सकता है, और इसका प्रतिरोध मान 45mΩ और 65mΩ है।MOSFET में N&P चैनल दोनों क्षमताएं हैं और यह SOT-23-6L पैकेज में आता है।

अनुप्रयोग:ई-सिगरेट, नियंत्रक, डिजिटल उत्पाद, उपकरण और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स।

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सामान्य विवरण

WST2078 छोटे पावर स्विच और लोड अनुप्रयोगों के लिए सबसे अच्छा MOSFET है।इसमें उच्च सेल घनत्व है जो उत्कृष्ट आरडीएसओएन और गेट चार्ज प्रदान करता है।यह RoHS और हरित उत्पाद आवश्यकताओं को पूरा करता है और इसे पूर्ण कार्य विश्वसनीयता के लिए अनुमोदित किया गया है।

विशेषताएँ

उच्च सेल घनत्व खाइयों, बेहद कम गेट चार्ज और सीडीवी/डीटी प्रभावों में उत्कृष्ट कमी के साथ उन्नत तकनीक।यह उपकरण पर्यावरण के अनुकूल भी है।

अनुप्रयोग

उच्च-आवृत्ति पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस छोटी पावर स्विचिंग एमबी/एनबी/यूएमपीसी/वीजीए, नेटवर्किंग डीसी-डीसी पावर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगरेट, नियंत्रक, डिजिटल उत्पाद, छोटे घरेलू उपकरण और उपभोक्ता में उपयोग के लिए बिल्कुल सही है। इलेक्ट्रॉनिक्स.

संगत सामग्री संख्या

AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601।

महत्वपूर्ण पैरामीटर

प्रतीक	पैरामीटर	रेटिंग		इकाइयों
प्रतीक	पैरामीटर	n- चैनल	पी-चैनल	इकाइयों
वीडीएस	नाली-स्रोत वोल्टेज	20	-20	V
वीजीएस	गेट-स्रोत वोल्टेज	±12	±12	V
आईडी@टीसी=25℃	सतत नाली धारा, वीजीएस @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
आईडी@टीसी=70℃	सतत नाली धारा, वीजीएस @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
आईडीएम	स्पंदित नाली धारा2	20	-13	A
PD@TA=25℃	कुल बिजली अपव्यय3	1.4	1.4	W
टीएसटीजी	स्टोरेज टेंपरेचर रेंज	-55 से 150	-55 से 150	℃
TJ	ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज	-55 से 150	-55 से 150	℃

प्रतीक	पैरामीटर	स्थितियाँ	न्यूनतम.	प्रकार.	अधिकतम.	इकाई
बीवीडीएसएस	नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज	वीजीएस=0वी, आईडी=250uA	20	---	---	V
△बीवीडीएसएस/△टीजे	बीवीडीएसएस तापमान गुणांक	25℃, आईडी=1एमए का संदर्भ	---	0.024	---	वी/℃
आरडीएस(चालू)	स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेज़िस्टेंस2	वीजीएस=4.5वी, आईडी=3ए	---	45	55	एमΩ
		वीजीएस=2.5वी, आईडी=1ए	---	60	80
		वीजीएस=1.8वी, आईडी=1ए	---	85	120
वीजीएस(वें)	गेट दहलीज वोल्टेज	वीजीएस=वीडीएस, आईडी=250यूए	0.5	0.7	1	V
△वीजीएस(वें)	वीजीएस(वें) तापमान गुणांक	वीजीएस=वीडीएस, आईडी=250यूए	---	-2.51	---	एमवी/℃
आईडीएसएस	नाली-स्रोत रिसाव धारा	वीडीएस=16वी, वीजीएस=0वी, टीजे=25℃	---	---	1	uA
आईडीएसएस	नाली-स्रोत रिसाव धारा	वीडीएस=16वी, वीजीएस=0वी, टीजे=55℃	---	---	5	uA
आईजीएसएस	गेट-सोर्स लीकेज करंट	वीजीएस=±8वी, वीडीएस=0वी	---	---	±100	nA
gfs	फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस	वीडीएस=5वी, आईडी=1ए	---	8	---	S
Rg	गेट प्रतिरोध	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	कुल गेट चार्ज (4.5V)	वीडीएस=10वी, वीजीएस=10वी, आईडी=3ए	---	7.8	---	nC
Qgs	गेट-सोर्स चार्ज		---	1.5	---
Qgd	गेट-ड्रेन चार्ज		---	2.1	---
टीडी(पर)	चालू करने में विलंब का समय	VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω आईडी=3ए आरएल=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	वृद्धि समय		---	13	23
टीडी(बंद)	टर्न-ऑफ विलंब समय		---	15	28
Tf	पतझड़ का समय		---	3	5.5
सीस	इनपुट कैपेसिटेंस	वीडीएस=10वी, वीजीएस=0वी, एफ=1मेगाहर्ट्ज	---	450	---	pF
कॉस	आउटपुट कैपेसिटेंस		---	51	---
सी.आर.एस.एस	रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस		---	52	---