WSR140N12 एन-चैनल 120V 140A TO-220-3L विंसोक MOSFET

उत्पादों

WSR140N12 एन-चैनल 120V 140A TO-220-3L विंसोक MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:


  • मॉडल संख्या:WSR140N12
  • बीवीडीएसएस:120V
  • आरडीएसओएन:5mΩ
  • पहचान:140ए
  • चैनल:एन चैनल
  • पैकेट:TO-220-3L
  • उत्पाद सारांश:WSR140N12 MOSFET का वोल्टेज 120V है, करंट 140A है, प्रतिरोध 5mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज TO-220-3L है।
  • अनुप्रयोग:बिजली आपूर्ति, चिकित्सा, प्रमुख उपकरण, बीएमएस आदि।
  • उत्पाद विवरण

    आवेदन

    उत्पाद टैग

    सामान्य विवरण

    WSR140N12 अत्यधिक उच्च सेल घनत्व के साथ उच्चतम प्रदर्शन ट्रेंच N-ch MOSFET है, जो अधिकांश सिंक्रोनस हिरन कनवर्टर अनुप्रयोगों के लिए उत्कृष्ट RDSON और गेट चार्ज प्रदान करता है। WSR140N12 RoHS और हरित उत्पाद की आवश्यकता को पूरा करता है, पूर्ण कार्य विश्वसनीयता के साथ 100% EAS की गारंटी स्वीकृत है।

    विशेषताएँ

    उन्नत उच्च सेल घनत्व ट्रेंच तकनीक, सुपर लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट सीडीवी/डीटी प्रभाव में गिरावट, 100% ईएएस गारंटी, ग्रीन डिवाइस उपलब्ध।

    अनुप्रयोग

    उच्च आवृत्ति प्वाइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस बक कनवर्टर, नेटवर्किंग डीसी-डीसी पावर सिस्टम, बिजली आपूर्ति, चिकित्सा, प्रमुख उपकरण, बीएमएस आदि।

    संगत सामग्री संख्या

    एसटी STP40NF12 आदि।

    महत्वपूर्ण पैरामीटर

    प्रतीक पैरामीटर रेटिंग इकाइयों
    वीडीएस नाली-स्रोत वोल्टेज 120 V
    वीजीएस गेट-स्रोत वोल्टेज ±20 V
    ID सतत नाली धारा, वीजीएस @ 10V(TC=25℃) 140 A
    आईडीएम स्पंदित नाली धारा 330 A
    ईएएस एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा 400 mJ
    PD कुल बिजली अपव्यय... C=25℃) 192 W
    RθJA थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-परिवेश 62 ℃/डब्ल्यू
    आरθजेसी थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-केस 0.65 ℃/डब्ल्यू
    टीएसटीजी भंडारण तापमान रेंज -55 से 150
    TJ ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 से 150
    प्रतीक पैरामीटर स्थितियाँ न्यूनतम. प्रकार. अधिकतम. इकाई
    बीवीडीएसएस नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज वीजीएस=0वी, आईडी=250यूए 120 --- --- V
    आरडीएस(चालू) स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेज़िस्टेंस2 वीजीएस=10वी, आईडी=30ए --- 5.0 6.5 एमΩ
    वीजीएस(वें) गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज वीजीएस=वीडीएस, आईडी=250यूए 2.0 --- 4.0 V
    आईडीएसएस नाली-स्रोत रिसाव धारा वीडीएस=120वी, वीजीएस=0वी, टीजे=25℃ --- --- 1 uA
    आईजीएसएस गेट-सोर्स लीकेज करंट वीजीएस=±20वी, वीडीएस=0वी --- --- ±100 nA
    Qg कुल गेट चार्ज वीडीएस=50वी, वीजीएस=10वी, आईडी=15ए --- 68.9 --- nC
    Qgs गेट-सोर्स चार्ज --- 18.1 ---
    Qgd गेट-ड्रेन चार्ज --- 15.9 ---
    टीडी(पर) चालू करने में विलंब का समय वीडीडी=50वी, वीजीएस=10वीआरजी=2Ω,आईडी=25ए --- 30.3 --- ns
    Tr वृद्धि समय --- 33.0 ---
    टीडी(बंद) टर्न-ऑफ विलंब समय --- 59.5 ---
    Tf पतझड़ का समय --- 11.7 ---
    सीस इनपुट कैपेसिटेंस वीडीएस=50वी, वीजीएस=0वी, एफ=1मेगाहर्ट्ज --- 5823 --- pF
    कॉस आउटपुट कैपेसिटेंस --- 778.3 ---
    सी.आर.एस.एस रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस --- 17.5 ---

  • पहले का:
  • अगला:

  • अपना संदेश यहां लिखें और हमें भेजें