WSP4016 एन-चैनल 40V 15.5A SOP-8 विंसोक मॉसफेट

WSP4016 N-चैनल 40V 15.5A SOP-8 विंसोक मॉसफ़ेट फ़ीचर्ड छवि

संक्षिप्त वर्णन:

मॉडल संख्या:WSP4016

बीवीडीएसएस:40V

आरडीएसओएन:11.5mΩ

पहचान:15.5ए

चैनल:एन चैनल

पैकेट:एसओपी-8

उत्पाद सारांश:WSP4016 MOSFET का वोल्टेज 40V है, करंट 15.5A है, प्रतिरोध 11.5mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज SOP-8 है।

अनुप्रयोग:ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स, एलईडी लाइट्स, ऑडियो, डिजिटल उत्पाद, छोटे घरेलू उपकरण, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, सुरक्षा बोर्ड, आदि

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सामान्य विवरण

WSP4016 अत्यधिक उच्च सेल घनत्व वाला उच्चतम प्रदर्शन ट्रेंच N-ch MOSFET है, जो अधिकांश सिंक्रोनस हिरन कनवर्टर अनुप्रयोगों के लिए उत्कृष्ट RDSON और गेट चार्जेंस प्रदान करता है।WSP4016 RoHS और हरित उत्पाद की आवश्यकता को पूरा करता है, पूर्ण कार्य विश्वसनीयता के साथ 100% EAS की गारंटी स्वीकृत है।

विशेषताएँ

उन्नत उच्च सेल घनत्व ट्रेंच तकनीक, सुपर लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट सीडीवी/डीटी प्रभाव में गिरावट, 100% ईएएस गारंटी, ग्रीन डिवाइस उपलब्ध।

अनुप्रयोग

सफेद एलईडी बूस्ट कन्वर्टर्स, ऑटोमोटिव सिस्टम, औद्योगिक डीसी/डीसी रूपांतरण सर्किट, ईऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स, एलईडी लाइट्स, ऑडियो, डिजिटल उत्पाद, छोटे घरेलू उपकरण, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, सुरक्षा बोर्ड इत्यादि।

संगत सामग्री संख्या

AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
डिनटेक डीटीएम5420।

महत्वपूर्ण पैरामीटर

प्रतीक	पैरामीटर	रेटिंग	इकाइयों
वीडीएस	नाली-स्रोत वोल्टेज	40	V
वीजीएस	गेट-स्रोत वोल्टेज	±20	V
आईडी@टीसी=25℃	सतत नाली धारा, वीजीएस @ 10V1	15.5	A
आईडी@टीसी=70℃	सतत नाली धारा, वीजीएस @ 10V1	8.4	A
आईडीएम	स्पंदित नाली धारा2	30	A
PD@TA=25℃	कुल विद्युत अपव्यय TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	कुल बिजली अपव्यय टीए=70°C	1.3	W
टीएसटीजी	स्टोरेज टेंपरेचर रेंज	-55 से 150	℃
TJ	ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज	-55 से 150	℃

विद्युत विशेषताएँ (TJ=25 ℃, जब तक कि अन्यथा उल्लेख न किया गया हो)

प्रतीक	पैरामीटर	स्थितियाँ	न्यूनतम.	प्रकार.	अधिकतम.	इकाई
बीवीडीएसएस	नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज	वीजीएस=0वी, आईडी=250uA	40	---	---	V
आरडीएस(चालू)	स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेज़िस्टेंस2	वीजीएस=10वी, आईडी=7ए	---	8.5	11.5	एमΩ
आरडीएस(चालू)	स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेज़िस्टेंस2	वीजीएस=4.5वी, आईडी=5ए	---	11	14.5	एमΩ
वीजीएस(वें)	गेट दहलीज वोल्टेज	वीजीएस=वीडीएस, आईडी=250यूए	1.0	1.8	2.5	V
आईडीएसएस	नाली-स्रोत रिसाव धारा	वीडीएस=32वी, वीजीएस=0वी, टीजे=25℃	---	---	1	uA
आईडीएसएस	नाली-स्रोत रिसाव धारा	वीडीएस=32वी, वीजीएस=0वी, टीजे=55℃	---	---	25	uA
आईजीएसएस	गेट-सोर्स लीकेज करंट	वीजीएस=±20वी, वीडीएस=0वी	---	---	±100	nA
gfs	फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस	वीडीएस=5वी, आईडी=15ए	---	31	---	S
Qg	कुल गेट चार्ज (4.5V)	वीडीएस=20वी, वीजीएस=10वी, आईडी=7ए	---	20	30	nC
Qgs	गेट-सोर्स चार्ज		---	3.9	---
Qgd	गेट-ड्रेन चार्ज		---	3	---
टीडी(पर)	चालू करने में विलंब का समय	VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω।	---	12.6	---	ns
Tr	वृद्धि समय		---	10	---
टीडी(बंद)	टर्न-ऑफ विलंब समय		---	23.6	---
Tf	पतझड़ का समय		---	6	---
सीस	इनपुट कैपेसिटेंस	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	1125	---	pF
कॉस	आउटपुट कैपेसिटेंस		---	132	---
सी.आर.एस.एस	रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस		---	70	---