WSD80130DN56 N-चैनल 80V 130A DFN5X6-8 विंसोक MOSFET

उत्पादों

WSD80130DN56 N-चैनल 80V 130A DFN5X6-8 विंसोक MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:

भाग संख्या:WSD80130DN56

बीवीडीएसएस:80V

पहचान:130ए

आरडीएसओएन:2.7mΩ

चैनल:एन चैनल

पैकेट:DFN5X6-8


उत्पाद विवरण

आवेदन

उत्पाद टैग

विंसोक एमओएसएफईटी उत्पाद अवलोकन

WSD80130DN56 MOSFET का वोल्टेज 80V है, करंट 130A है, प्रतिरोध 2.7mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज DFN5X6-8 है।

विंसोक एमओएसएफईटी आवेदन क्षेत्र

ड्रोन MOSFET, मोटर्स MOSFET, मेडिकल MOSFET, बिजली उपकरण MOSFET, ESCs MOSFET।

WinSok MOSFET अन्य ब्रांड सामग्री संख्याओं से मेल खाता है

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG।

MOSFET पैरामीटर

प्रतीक

पैरामीटर

रेटिंग

इकाइयों

वीडीएस

नाली-स्रोत वोल्टेज

80

V

वीजीएस

गेट-सौrसीई वोल्टेज

±20

V

TJ

अधिकतम जंक्शन तापमान

150

डिग्री सेल्सियस

ID

भंडारण तापमान रेंज

-55 से 150

डिग्री सेल्सियस

ID

सतत नाली धारा, वीGS=10V,टीC=25°C

130

A

सतत नाली धारा, वीGS=10V,टीC=70°C

89

A

आईडीएम

स्पंदित नाली धारा, टीC=25°C

400

A

PD

अधिकतम विद्युत अपव्यय, टीC=25°C

200

W

आरक्यूजेसी

थर्मल प्रतिरोध-केस से जंक्शन

1.25

डिग्री सेल्सियस

       

 

प्रतीक

पैरामीटर

स्थितियाँ

न्यूनतम.

प्रकार.

अधिकतम.

इकाई

BVडीएसएस

नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज VGS=0वी, आईD=250uA

80

---

---

V

बीवीडीएसएस/△टीजे

BVडीएसएसतापमान गुणांक 25 का संदर्भ, मैंD=1एमए

---

0.043

---

V/

आरडीएस(चालू)

स्थैतिक नाली-स्रोत पर-प्रतिरोध2 वीजीएस=10वी, आईD=40ए

---

2.7

3.6

mΩ

वीजीएस(वें)

गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज VGS=VDS, मैंD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

Vजीएस(वें)

Vजीएस(वें)तापमान गुणांक

---

-6.94

---

एमवी/

आईडीएसएस

नाली-स्रोत रिसाव धारा VDS=48वी , वीGS=0V , टीJ=25

---

---

2

uA

VDS=48वी , वीGS=0V , टीJ=55

---

---

10

आईजीएसएस

गेट-सोर्स लीकेज करंट VGS=±20 वी, वीDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

कुल गेट चार्ज (10V) VDS=30वी, वीGS=10 वी, आईD=30ए

---

48.6

---

nC

Qgs

गेट-सोर्स चार्ज

---

17.5

---

Qgd

गेट-ड्रेन चार्ज

---

10.4

---

टीडी(पर)

चालू करने में विलंब का समय VDD=30वी, वीGS=10V ,

RG=2.5Ω, मैंD=2ए ,आरएल=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

वृद्धि समय

---

10

---

टीडी(बंद)

टर्न-ऑफ विलंब समय

---

35

---

Tf

पतझड़ का समय

---

12

---

Cआईएसएस

इनपुट कैपेसिटेंस VDS=25 वी, वीGS=0V, f=1MHz

---

4150

---

pF

कॉस

आउटपुट कैपेसिटेंस

---

471

---

Cआरएसएस

रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस

---

20

---


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