WSD6070DN56 N-चैनल 60V 80A DFN5X6-8 विंसोक MOSFET

उत्पादों

WSD6070DN56 N-चैनल 60V 80A DFN5X6-8 विंसोक MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:

भाग संख्या:WSD6070DN56

बीवीडीएसएस:60V

पहचान:80ए

आरडीएसओएन:7.3mΩ 

चैनल:एन चैनल

पैकेट:DFN5X6-8


उत्पाद विवरण

आवेदन

उत्पाद टैग

विंसोक एमओएसएफईटी उत्पाद अवलोकन

WSD6070DN56 MOSFET का वोल्टेज 60V है, करंट 80A है, प्रतिरोध 7.3mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज DFN5X6-8 है।

विंसोक एमओएसएफईटी आवेदन क्षेत्र

ई-सिगरेट MOSFET, वायरलेस चार्जिंग MOSFET, मोटर्स MOSFET, ड्रोन MOSFET, चिकित्सा देखभाल MOSFET, कार चार्जर MOSFET, नियंत्रक MOSFET, डिजिटल उत्पाद MOSFET, छोटे घरेलू उपकरण MOSFET, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET।

WinSok MOSFET अन्य ब्रांड सामग्री संख्याओं से मेल खाता है

पोटेंस सेमीकंडक्टर MOSFET PDC696X।

MOSFET पैरामीटर

प्रतीक

पैरामीटर

रेटिंग

इकाइयों

वीडीएस

नाली-स्रोत वोल्टेज

60

V

वीजीएस

गेट-सौrसीई वोल्टेज

±20

V

TJ

अधिकतम जंक्शन तापमान

150

डिग्री सेल्सियस

ID

भंडारण तापमान रेंज

-55 से 150

डिग्री सेल्सियस

IS

डायोड कंटीन्यूअस फॉरवर्ड करंट, टीC=25°C

80

A

ID

सतत नाली धारा, वीGS=10V,टीC=25°C

80

A

सतत नाली धारा, वीGS=10V,टीC=100°C

66

A

आईडीएम

स्पंदित नाली धारा, टीC=25°C

300

A

PD

अधिकतम विद्युत अपव्यय, टीC=25°C

150

W

अधिकतम विद्युत अपव्यय, टीC=100°C

75

W

RθJA

थर्मल प्रतिरोध-परिवेश से जंक्शन, टी =10s ̀

50

डिग्री सेल्सियस/डब्ल्यू

थर्मल प्रतिरोध-परिवेश, स्थिर अवस्था से जंक्शन

62.5

डिग्री सेल्सियस/डब्ल्यू

RqJC

थर्मल प्रतिरोध-केस से जंक्शन

1

डिग्री सेल्सियस/डब्ल्यू

आईएएस

हिमस्खलन धारा, एकल पल्स, L=0.5mH

30

A

EAS

हिमस्खलन ऊर्जा, एकल पल्स, L=0.5mH

225

mJ

 

प्रतीक

पैरामीटर

स्थितियाँ

न्यूनतम.

प्रकार.

अधिकतम.

इकाई

BVडीएसएस

नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज VGS=0वी, आईD=250uA

60

---

---

V

बीवीडीएसएस/△टीजे

BVडीएसएसतापमान गुणांक 25 का संदर्भ, मैंD=1एमए

---

0.043

---

V/

आरडीएस(चालू)

स्थैतिक नाली-स्रोत पर-प्रतिरोध2 वीजीएस=10वी, आईD=40ए

---

7.0

9.0

mΩ

वीजीएस(वें)

गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज VGS=VDS, मैंD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

वीजीएस(वें)

Vजीएस(वें)तापमान गुणांक

---

-6.94

---

एमवी/

आईडीएसएस

नाली-स्रोत रिसाव धारा VDS=48वी , वीGS=0V , टीJ=25

---

---

2

uA

VDS=48वी , वीGS=0V , टीJ=55

---

---

10

आईजीएसएस

गेट-सोर्स लीकेज करंट VGS=±20 वी, वीDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस VDS=5वी, आईD=20ए

---

50

---

S

Rg

गेट प्रतिरोध VDS=0वी , वीGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

कुल गेट चार्ज (10V) VDS=30वी, वीGS=10 वी, आईD=40ए

---

48

---

nC

Qgs

गेट-सोर्स चार्ज

---

17

---

Qgd

गेट-ड्रेन चार्ज

---

12

---

टीडी(पर)

चालू करने में विलंब का समय VDD=30वी, वीजनरल=10 वी, आरG=1Ω, मैंD=1ए ,आरएल=15Ω.

---

16

---

ns

Tr

वृद्धि समय

---

10

---

टीडी(बंद)

टर्न-ऑफ विलंब समय

---

40

---

Tf

पतझड़ का समय

---

35

---

Cआईएसएस

इनपुट कैपेसिटेंस VDS=30वी, वीGS=0V, f=1MHz

---

2680

---

pF

कॉस

आउटपुट कैपेसिटेंस

---

386

---

Cआरएसएस

रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस

---

160

---


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