WSD6060DN56 N-चैनल 60V 65A DFN5X6-8 विंसोक MOSFET

उत्पादों

WSD6060DN56 N-चैनल 60V 65A DFN5X6-8 विंसोक MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:

भाग संख्या:WSD6060DN56

बीवीडीएसएस:60V

पहचान:65ए

आरडीएसओएन:7.5mΩ 

चैनल:एन चैनल

पैकेट:DFN5X6-8


उत्पाद विवरण

आवेदन

उत्पाद टैग

विंसोक एमओएसएफईटी उत्पाद अवलोकन

WSD6060DN56 MOSFET का वोल्टेज 60V है, करंट 65A है, प्रतिरोध 7.5mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज DFN5X6-8 है।

विंसोक एमओएसएफईटी आवेदन क्षेत्र

ई-सिगरेट MOSFET, वायरलेस चार्जिंग MOSFET, मोटर्स MOSFET, ड्रोन MOSFET, चिकित्सा देखभाल MOSFET, कार चार्जर MOSFET, नियंत्रक MOSFET, डिजिटल उत्पाद MOSFET, छोटे घरेलू उपकरण MOSFET, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET।

WinSok MOSFET अन्य ब्रांड सामग्री संख्याओं से मेल खाता है

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.पंजीत MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS सेमीकंडक्टर MOSFET PDC696X।

MOSFET पैरामीटर

प्रतीक

पैरामीटर

रेटिंग

इकाई
सामान्य रेटिंग      

वीडीएसएस

नाली-स्रोत वोल्टेज  

60

V

वीजीएसएस

गेट-स्रोत वोल्टेज  

±20

V

TJ

अधिकतम जंक्शन तापमान  

150

डिग्री सेल्सियस

टीएसटीजी भंडारण तापमान रेंज  

-55 से 150

डिग्री सेल्सियस

IS

डायोड सतत अग्रवर्ती धारा Tc=25°C

30

A

ID

सतत अपवाह धारा Tc=25°C

65

A

Tc=70°C

42

मैं डीएम बी

पल्स ड्रेन करंट का परीक्षण किया गया Tc=25°C

250

A

PD

अधिकतम विद्युत अपव्यय Tc=25°C

62.5

W

TC=70°C

38

RqJL

लीड के लिए थर्मल प्रतिरोध-जंक्शन स्थिर अवस्था

2.1

डिग्री सेल्सियस/डब्ल्यू

RqJA

थर्मल प्रतिरोध-परिवेश से जंक्शन t £ 10s

45

डिग्री सेल्सियस/डब्ल्यू
स्थिर अवस्थाb 

50

मैं ए.एस d

हिमस्खलन धारा, एकल नाड़ी एल=0.5एमएच

18

A

ई एएस डी

हिमस्खलन ऊर्जा, एकल नाड़ी एल=0.5एमएच

81

mJ

 

प्रतीक

पैरामीटर

परीक्षण की स्थितियाँ न्यूनतम. प्रकार. अधिकतम. इकाई
स्थैतिक विशेषताएँ          

BVडीएसएस

नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज VGS=0वी, आईDS=250mA

60

-

-

V

आईडीएसएस जीरो गेट वोल्टेज ड्रेन करंट VDS=48वी, वीGS=0V

-

-

1

mA
         
      TJ=85°C

-

-

30

 

वीजीएस(वें)

गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज VDS=VGS, मैंDS=250mA

1.2

1.5

2.5

V

आईजीएसएस

गेट लीकेज करंट VGS=±20वी, वीDS=0V

-

-

±100 nA

आर डीएस(ओएन) 3

नाली-स्रोत ऑन-स्टेट प्रतिरोध VGS=10 वी, आईDS=20ए

-

7.5

10

m W
VGS=4.5V, IDS=15 ए

-

10

15

डायोड विशेषताएँ          
वी एसडी डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज ISD=1ए, वीGS=0V

-

0.75

1.2

V

trr

पुनर्प्राप्ति समय को उलट दें

ISD=20ए, डीएलSD /dt=100A/µs

-

42

-

ns

Qrr

रिवर्स रिकवरी चार्ज

-

36

-

nC
गतिशील विशेषताएँ3,4          

RG

गेट प्रतिरोध VGS=0वी,वीDS=0V,F=1MHz

-

1.5

-

W

Cआईएसएस

इनपुट कैपेसिटेंस VGS=0V,

VDS=30V,

एफ=1.0 मेगाहर्ट्ज Ω

-

1340

-

pF

COS के

आउटपुट कैपेसिटेंस

-

270

-

Cआरएसएस

रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस

-

40

-

टीडी(चालू) देरी का समय चालू करें वीडीडी=30वी, आईडीएस=1ए,

वीजीईएन=10वी, आरजी=6Ω.

-

15

-

ns

tr

उदय समय चालू करें

-

6

-

टीडी(बंद) टर्न-ऑफ विलंब समय

-

33

-

tf

टर्न-ऑफ फ़ॉल टाइम

-

30

-

गेट चार्ज विशेषताएँ 3,4          

Qg

कुल गेट चार्ज VDS=30V,

VGS=4.5V, IDS=20ए

-

13

-

nC

Qg

कुल गेट चार्ज VDS=30वी, वीGS=10V,

IDS=20ए

-

27

-

Qgth

थ्रेसहोल्ड गेट चार्ज

-

4.1

-

Qgs

गेट-सोर्स चार्ज

-

5

-

Qgd

गेट-ड्रेन चार्ज

-

4.2

-


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