WSD4080DN56 एन-चैनल 40V 85A DFN5X6-8 विंसोक MOSFET
विंसोक एमओएसएफईटी उत्पाद अवलोकन
WSD4080DN56 MOSFET का वोल्टेज 40V है, करंट 85A है, प्रतिरोध 4.5mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज DFN5X6-8 है।
विंसोक एमओएसएफईटी आवेदन क्षेत्र
छोटे उपकरण MOSFET, हैंडहेल्ड उपकरण MOSFET, मोटर MOSFET।
WinSok MOSFET अन्य ब्रांड सामग्री संख्याओं से मेल खाता है
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.पंजीत MOSFET PJQ5442.POTENS सेमीकंडक्टर MOSFET PDC496X।
MOSFET पैरामीटर
| प्रतीक | पैरामीटर | रेटिंग | इकाइयों |
| वीडीएस | नाली-स्रोत वोल्टेज | 40 | V |
| वीजीएस | गेट-सौrसीई वोल्टेज | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | सतत नाली धारा, वीGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | सतत नाली धारा, वीGS @ 10V1 | 58 | A |
| आईडीएम | स्पंदित नाली धारा2 | 100 | A |
| ईएएस | एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | 110.5 | mJ |
| आईएएस | हिमस्खलन धारा | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | कुल शक्ति अपव्यय4 | 52.1 | W |
| टीएसटीजी | भंडारण तापमान रेंज | -55 से 150 | ℃ |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 से 150 | ℃ |
| RθJA | थर्मल प्रतिरोध जंक्शन-परिवेश1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | थर्मल प्रतिरोध जंक्शन-केस1 | 2.4 | ℃/W |
| प्रतीक | पैरामीटर | स्थितियाँ | न्यूनतम. | प्रकार. | अधिकतम. | इकाई |
| बीवीडीएसएस | नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | वीजीएस=0वी, आईडी=250uA | 40 | --- | --- | V |
| आरडीएस(चालू) | स्थैतिक नाली-स्रोत पर-प्रतिरोध2 | वीजीएस=10वी, आईडी=10ए | --- | 4.5 | 6.5 | एमΩ |
| वीजीएस=4.5वी, आईडी=5ए | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| वीजीएस(वें) | गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज | वीजीएस=वीडीएस, आईडी=250यूए | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| आईडीएसएस | नाली-स्रोत रिसाव धारा | वीडीएस=32वी, वीजीएस=0वी, टीजे=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| वीडीएस=32वी, वीजीएस=0वी, टीजे=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| आईजीएसएस | गेट-सोर्स लीकेज करंट | वीजीएस=±20वी, वीडीएस=0वी | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस | वीडीएस=10वी, आईडी=5ए | --- | 27 | --- | S |
| Qg | कुल गेट चार्ज (4.5V) | वीडीएस=20वी, वीजीएस=4.5वी, आईडी=10ए | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | गेट-सोर्स चार्ज | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 9.5 | --- | ||
| टीडी(पर) | चालू करने में विलंब का समय | वीडीडी=15वी, वीजीएस=10वी आरजी=3.3Ω आईडी=1ए | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | वृद्धि समय | --- | 8.8 | --- | ||
| टीडी(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब समय | --- | 74 | --- | ||
| Tf | पतझड़ का समय | --- | 7 | --- | ||
| सीस | इनपुट कैपेसिटेंस | वीडीएस=15वी, वीजीएस=0वी, एफ=1मेगाहर्ट्ज | --- | 2354 | --- | pF |
| कॉस | आउटपुट कैपेसिटेंस | --- | 215 | --- | ||
| सी.आर.एस.एस | रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | --- | 175 | --- | ||
| IS | सतत स्रोत धारा1,5 | VG=VD=0V, बल धारा | --- | --- | 70 | A |
| वी एस डी | डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज2 | वीजीएस=0वी, आईएस=1ए, टीजे=25℃ | --- | --- | 1 | V |
