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WSD30140DN56 N-चैनल 30V 85A DFN5*6-8 विंसोक MOSFET

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WSD30140DN56 N-चैनल 30V 85A DFN5*6-8 विंसोक MOSFET

WSD30140DN56 N-चैनल 30V 85A DFN5*6-8 विंसोक MOSFET फ़ीचर्ड छवि
  • WSD30140DN56 N-चैनल 30V 85A DFN5*6-8 विंसोक MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:


  • मॉडल संख्या:WSD30140DN56
  • बीवीडीएसएस:30V
  • आरडीएसओएन:1.7mΩ
  • पहचान:85ए
  • चैनल:एन चैनल
  • पैकेट:डीएफएन5*6-8
  • उत्पाद सारांश:WSD30140DN56 MOSFET का वोल्टेज 30V है, करंट 85A है, प्रतिरोध 1.7mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज DFN5*6-8 है।
  • अनुप्रयोग:इलेक्ट्रॉनिक सिगरेट, वायरलेस चार्जर, ड्रोन, चिकित्सा देखभाल, कार चार्जर, नियंत्रक, डिजिटल उत्पाद, छोटे उपकरण, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, आदि।
    • पीडीएफ

    वास्तु की बारीकी

    आवेदन

    उत्पाद टैग

    सामान्य विवरण

    WSD30140DN56 उच्चतम प्रदर्शन ट्रेंच एन-चैनल MOSFET है जिसमें बहुत उच्च सेल घनत्व है जो अधिकांश सिंक्रोनस हिरन कनवर्टर अनुप्रयोगों के लिए उत्कृष्ट RDSON और गेट चार्ज प्रदान करता है।WSD30140DN56 RoHS और हरित उत्पाद आवश्यकताओं का अनुपालन करता है, 100% EAS गारंटी, पूर्ण फ़ंक्शन विश्वसनीयता स्वीकृत।

    विशेषताएँ

    उन्नत उच्च सेल घनत्व ट्रेंच तकनीक, अल्ट्रा-लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट सीडीवी/डीटी प्रभाव क्षीणन, 100% ईएएस गारंटी, हरित उपकरण उपलब्ध

    अनुप्रयोग

    उच्च-आवृत्ति पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनाइज़ेशन, हिरन कन्वर्टर्स, नेटवर्क डीसी-डीसी पावर सिस्टम, इलेक्ट्रिक टूल एप्लिकेशन, इलेक्ट्रॉनिक सिगरेट, वायरलेस चार्जिंग, ड्रोन, चिकित्सा देखभाल, कार चार्जिंग, नियंत्रक, डिजिटल उत्पाद, छोटे उपकरण, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स

    संगत सामग्री संख्या

    एओ एओएन6312, एओएन6358, एओएन6360, एओएन6734, एओएन6792, एओएनएस36314।एनटीएमएफएस4847एन पर।VISHAY SiRA62DP.एसटी STL86N3LLH6AG।इन्फिनियॉन BSC050N03MSG।टीआई सीएसडी17327क्यू5ए, सीएसडी17327क्यू5ए, सीएसडी17307क्यू5ए।एनएक्सपी PH2520U।तोशिबा TPH4R803PL TPH3R203NL।ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN।पंजित PJQ5410.एपी AP3D5R0MT।निको PK610SA, PK510BA।पोटेन्स पीडीसी3803आर

    महत्वपूर्ण पैरामीटर

    प्रतीक पैरामीटर रेटिंग इकाइयों
    वीडीएस नाली-स्रोत वोल्टेज 30 V
    वीजीएस गेट-स्रोत वोल्टेज ±20 V
    आईडी@टीसी=25℃ सतत नाली धारा, वीजीएस @ 10V1,7 85 A
    आईडी@टीसी=70℃ सतत नाली धारा, वीजीएस @ 10V1,7 65 A
    आईडीएम स्पंदित नाली धारा2 300 A
    PD@TC=25℃ कुल विद्युत अपव्यय4 50 W
    टीएसटीजी स्टोरेज टेंपरेचर रेंज -55 से 150 ℃
    TJ ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 से 150 ℃
    प्रतीक पैरामीटर स्थितियाँ न्यूनतम. प्रकार. अधिकतम. इकाई
    बीवीडीएसएस नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज वीजीएस=0वी, आईडी=250uA 30 --- --- V
    △बीवीडीएसएस/△टीजे बीवीडीएसएस तापमान गुणांक 25℃, आईडी=1एमए का संदर्भ --- 0.02 --- वी/℃
    आरडीएस(चालू) स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेज़िस्टेंस2 वीजीएस=10वी, आईडी=20ए --- 1.7 2.4 एमΩ
    वीजीएस=4.5वी, आईडी=15ए 2.5 3.3
    वीजीएस(वें) गेट दहलीज वोल्टेज वीजीएस=वीडीएस, आईडी=250यूए 1.2 1.7 2.5 V
    नाली-स्रोत रिसाव धारा वीडीएस=24वी, वीजीएस=0वी, टीजे=25℃ --- --- 1 uA
    आईडीएसएस वीडीएस=24वी, वीजीएस=0वी, टीजे=55℃ --- --- 5
    आईजीएसएस गेट-सोर्स लीकेज करंट वीजीएस=±20वी, वीडीएस=0वी --- --- ±100 nA
    gfs फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस वीडीएस=5वी, आईडी=20ए --- 90 --- S
    Qg कुल गेट चार्ज (4.5V) वीडीएस=15वी, वीजीएस=4.5वी, आईडी=20ए --- 26 --- nC
    Qgs गेट-सोर्स चार्ज --- 9.5 ---
    Qgd गेट-ड्रेन चार्ज --- 11.4 ---
    टीडी(पर) चालू करने में विलंब का समय VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0.75Ω। --- 11 --- ns
    Tr वृद्धि समय --- 6 ---
    टीडी(बंद) टर्न-ऑफ विलंब समय --- 38.5 ---
    Tf पतझड़ का समय --- 10 ---
    सीस इनपुट कैपेसिटेंस वीडीएस=15वी, वीजीएस=0वी, एफ=1मेगाहर्ट्ज --- 3000 --- pF
    कॉस आउटपुट कैपेसिटेंस --- 1280 ---
    सी.आर.एस.एस रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस --- 160 ---
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