WSD25280DN56G एन-चैनल 25V 280A DFN5X6-8 विंसोक MOSFET
विंसोक एमओएसएफईटी उत्पाद अवलोकन
WSD25280DN56G MOSFET का वोल्टेज 25V है, करंट 280A है, प्रतिरोध 0.7mΩ है, चैनल N-चैनल है, और पैकेज DFN5X6-8 है।
विंसोक एमओएसएफईटी आवेदन क्षेत्र
उच्च आवृत्ति प्वाइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस、बक कनवर्टर、नेटवर्किंग डीसी-डीसी पावर सिस्टम、विद्युत उपकरण अनुप्रयोग,ई-सिगरेट MOSFET, वायरलेस चार्जिंग MOSFET, ड्रोन MOSFET, चिकित्सा देखभाल MOSFET, कार चार्जर MOSFET, नियंत्रक MOSFET, डिजिटल उत्पाद MOSFET, छोटे घरेलू उपकरण MOSFET, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET।
WinSok MOSFET अन्य ब्रांड सामग्री संख्याओं से मेल खाता है
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD।
पोटेंस सेमीकंडक्टर MOSFET PDC262X।
MOSFET पैरामीटर
| प्रतीक | पैरामीटर | रेटिंग | इकाइयों |
| वीडीएस | नाली-स्रोत वोल्टेज | 25 | V |
| वीजीएस | गेट-सौrसीई वोल्टेज | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | सतत अपवाह धारा（सिलिकॉन लिमिटेड）1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | सतत नाली धारा (सिलिकॉन लिमिटेड)）1,7 | 190 | A |
| आईडीएम | स्पंदित नाली धारा2 | 600 | A |
| ईएएस | एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | 1200 | mJ |
| आईएएस | हिमस्खलन धारा | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | कुल शक्ति अपव्यय4 | 83 | W |
| टीएसटीजी | भंडारण तापमान रेंज | -55 से 150 | ℃ |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 से 150 | ℃ |
| प्रतीक | पैरामीटर | स्थितियाँ | न्यूनतम. | प्रकार. | अधिकतम. | इकाई |
| BVडीएसएस | नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | VGS=0वी, आईD=250uA | 25 | --- | --- | V |
| △बीवीडीएसएस/△टीजे | BVडीएसएसतापमान गुणांक | 25 का संदर्भ℃, मैंD=1एमए | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
| आरडीएस(चालू) | स्थैतिक नाली-स्रोत पर-प्रतिरोध2 | VGS=10 वी, आईD=20ए | --- | 0.7 | 0.9 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=20ए | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| वीजीएस(वें) | गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज | VGS=VDS, मैंD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △Vजीएस(वें) | Vजीएस(वें)तापमान गुणांक | --- | -6.1 | --- | एमवी/℃ | |
| आईडीएसएस | नाली-स्रोत रिसाव धारा | VDS=20वी , वीGS=0V , टीJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20वी , वीGS=0V , टीJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| आईजीएसएस | गेट-सोर्स लीकेज करंट | VGS=±20 वी, वीDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस | VDS=5वी, आईD=10ए | --- | 40 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिरोध | VDS=0वी , वीGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | कुल गेट चार्ज (4.5V) | VDS=15वी , वीGS=4.5V , ID=20ए | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | गेट-सोर्स चार्ज | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 24 | --- | ||
| टीडी(पर) | चालू करने में विलंब का समय | VDD=15वी , वीजनरल=10 वी, आरG=1Ω, मैंD=10ए | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | वृद्धि समय | --- | 55 | --- | ||
| टीडी(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब समय | --- | 62 | --- | ||
| Tf | पतझड़ का समय | --- | 22 | --- | ||
| Cआईएसएस | इनपुट कैपेसिटेंस | VDS=15वी , वीGS=0V, f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| कॉस | आउटपुट कैपेसिटेंस | --- | 1120 | --- | ||
| Cआरएसएस | रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | --- | 650 | --- |
